Information Page of SAS Employee

Publications

Ing. Filip Gucmann, PhD.

On this page, you can search the on-line database of the Slovak Academy of Sciences for the publications.

• EGYENES, Fridrich** - MOŠKO, Martin - CHI, Z. - VINCZE, A. - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - PRECNER, Marián - ONDREJKA, P. - CHIKOIDZE, E. - MIKOLÁŠEK, M. - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan** - GUCMANN, Filip. Anomalous hopping regime at the Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3. In Physical Review B, 2026, vol. 113, art. no. 195205. (2025: 3.9 - IF, Q2 - JCR, 1.235 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1550-235X. Dostupné na: https://doi.org/10.1103/khqm-bvwf Type: ADCA
• GUCMANN, Filip** - CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - HUŠEKOVÁ, Kristína - GREGUŠOVÁ, Dagmar - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - ROSOVÁ, Alica - CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ŤAPAJNA, Milan. Rotational domains in heteroepitaxial β-Ga2O3 films grown by MOCVD. In 2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2026 : Proceedings of Technical Papers. - IEEE, 2026, p. [2 s.]. ISBN 979-8-3315-6238-0. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/VLSITSA69131.2026.11527602 (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Type: ADMB
• HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Type: ADCA
• CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ROSOVÁ, Alica** - DOBROČKA, Edmund - ŠVEC, Peter Jr. - HUŠEKOVÁ, Kristína - KUMAR, Satish - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Variation of surface morphology in (𝟐̅𝟎𝟏) β-GA2O3 epitaxial layers on c-plane sapphire substrates connected with {310}/(𝟐̅𝟎𝟏) volume ratio. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 111-114. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Type: AFD
• LLEWELYN, C.P. - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - LAMB, David**. Scalable growth and properties of (AlxGa1−x)2O3 thin films on 2- and 4-inch sapphire via close-coupled showerhead MOCVD. In Physica Status Solidi A : applications and materials science, 2026, vol. 223, art. no. e202500608. (2025: 2 - IF, Q3 - JCR, 0.412 - SJR, Q2 - SJR). ISSN 1862-6300. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/pssa.202500608 (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie.) Type: ADCA
• PIKULÍKOVÁ, V.** - PIPÍŠKA, M. - PETROVIČ, Anzelm - ZDURIENČÍK, M. - HOLÁ, Marie - LITVÍK, J. - PUDIŠ, D. - GUCMANN, Filip - BENEDIKOVIČ, D. Optical waveguides and power splitters for gallium oxide photonic integrated circuits. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 245-248. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie.) Type: AFD
• ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 (VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami.) Type: ADCA
• SOBOTA, Michal** - LUKÁČ, Tomáš - MOŠKO, Martin - HUŠEKOVÁ, Kristína - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - GREGUŠOVÁ, Dagmar - GREGUŠ, J. - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Urbach energy analysis, and electrical properties of polycrystalline Β-Ga2O3. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 37-40. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Type: AFD
• VARGA, Marian** - KESHTKAR, Javad - HUŠEKOVÁ, Kristína - KOZAK, Iryna - REMEŠ, Z. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - SHARMA, D. - KOVÁČOVÁ, Eva - DOBROČKA, Edmund - KOZAK, Andrii - SOBOTA, Michal - IZSÁK, Tibor - SZABÓ, O. - ŤAPAJNA, Milan - KROMKA, A. - GUCMANN, Filip. Towards Ga2O3/diamond-based solar-blind UV photodetectors. In NANOMAT 2026 : International Conference on Functional Nanomaterials and Nanodevices 2026, 7.– 10 July 2026, Brno, Czech Republic. Eds. D. Eder et al. - Sofia : ENNA, 2026, p. 69. ISBN 2603-4239. (IM-2023-87 : Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo.) Type: AFE
• ZDURIENČÍK, M.** - GUCMANN, Filip - PUDIŠ, D. Preparation of microstructures for gallium oxide photonic devices. In Transportation Research Procedia : 16th International Scientific Conference on Sustainable, Modern and Safe Transport, 2026, vol. 93, p. 612-617. (2025: 0.308 - SJR). ISSN 2352-1465. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.trpro.2025.11.092 (APVV-20-0264 : Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne.) Type: ADMB
• ZDURIENČÍK, M.** - MRENA, D. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DÉRER, Ján - GUCMANN, Filip - GORAUS, M. - JANDURA, D. - BENEDIKOVIČ, D. - PIKULÍKOVÁ, V. - PUDIŠ, D. Diffraction gratings for gallium oxide photonic devices. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 151-154. (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie.) Type: AFD