Projects
Ing. Filip Gucmann PhD.
International projects
Photohmic - Oxide-based photonic crystal ohmic contacts for efficient GaN-based PCSEL diodes
Ohmické kontakty pre efektívne PCSEL GaN diódy tvorené fotonickým kryštálom na báze oxidových materiálov
| Duration: | 1.10.2025 - 30.9.2028 |
| Program: | ERANET |
| Project leader: | Ing. Gucmann Filip PhD. |
Development of CVD Diamond-Integrated Gallium Oxide Rectifying Diodes with Improved Thermal Performance and Electric Field Management
Vývoj usmerňujúcich diód na báze oxidu galitého s vylepšenými tepelnými a elektrickými vlastnosťami vďaka integrácii s CVD diamantom
| Duration: | 1.1.2025 - 31.12.2026 |
| Program: | Mobility |
| Project leader: | Ing. Gucmann Filip PhD. |
National projects
* CERBERUS - Colour centres in diamond – correlation between atomic structure and opto-electronic properties
Farebné centrá v diamante – korelácia medzi atómovou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami
| Duration: | 1.9.2024 - 31.12.2027 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Izsák Tibor PhD. |
* MEGA-UV - MOCVD heteroepitaxy and defect analysis of Ga2O3 films for advanced deep UV sensing
MOCVD heteroepitaxia a analýza porúch tenkých vrstiev Ga2O3 pre pokročilé detektory UV-C žiarenia
| Duration: | 1.7.2026 - 30.6.2028 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Mgr. Kozak Andrii PhD. |
* NovelTHz - Novel heterostructures for (sub)THz electronics
Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku
| Duration: | 1.9.2025 - 31.8.2029 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
* Thermal management in Ga2O3 based electronic and optoelectronic devices
Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3
| Duration: | 1.1.2025 - 31.12.2028 |
| Program: | VEGA |
| Project leader: | Ing. Ťapajna Milan PhD. |
* PowerGaN - Vertical GaN Power Devices with Semi-Insulating Channel and Innovative 3D Gate-Source Architecture for Increased-Switching Performance
Vertikálne GaN súšiastky s poloizolačným kanálom a inovatívnou 3D gatesource architektúrou pre výkonové aplikácie
| Duration: | 1.9.2026 - 31.8.2030 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Stoklas Roman PhD. |
GO4HV - Gallium oxide power transistors for high-voltage operation
Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie
| Duration: | 1.9.2025 - 31.8.2029 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Gucmann Filip PhD. |
Projects total: 8
Note: * co-investigator