Projects
Ing. Milan Ťapajna PhD.
International projects
Establishment of reliability laboratory for pawer modules and joint reserch of GaN and Ga2O3 power devices
Vybudovanie laboratória pre výskum spoľahlivosti výkonových modulov a spoločný výskum v oblasti GaN a Ga2O3 polovodičových výkonových súčiastok
| Duration: | 1.7.2023 - 30.6.2027 |
| Program: | Bilaterálne - iné |
| Project leader: | Ing. Ťapajna Milan PhD. |
National projects
Electronic and optoelectronic devices based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor
Elektronické a optoelektronické súčiastky na báze ultra-širokopásmového Ga2O3 polovodiča
| Duration: | 1.1.2021 - 31.12.2024 |
| Program: | VEGA |
| Project leader: | Ing. Ťapajna Milan PhD. |
* Modern electronic devices based on ultrawide bandgap semiconducting Ga2O3 for future high-voltage applications
Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie
| Duration: | 1.7.2021 - 30.6.2025 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Gucmann Filip PhD. |
* NanoMemb-RF - Advanced GaAs-based nanomembrane heterostructures for highperformance RF devices
Moderné nanomembránové heteroštruktúry na báze GaAs pre vysoko produktívne vysokofrekvenčné prvky
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2025 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | RNDr. Gregušová Dagmar DrSc. |
* PEGANEL - p-GaN electronics for energy savings and beyond-CMOS circuits
p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2025 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
Transit2D - Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion
Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2026 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Ťapajna Milan PhD. |
Projects total: 6
Note: * cosolver