Projects
Ing. Ondrej Pohorelec PhD.
National projects
* Critical aspects of the growth for a new generation of III-N devices
Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
| Duration: | 1.1.2022 - 31.12.2025 |
| Program: | VEGA |
| Project leader: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
* NanoMemb-RF - Advanced GaAs-based nanomembrane heterostructures for highperformance RF devices
Moderné nanomembránové heteroštruktúry na báze GaAs pre vysoko produktívne vysokofrekvenčné prvky
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2025 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | RNDr. Gregušová Dagmar DrSc. |
* Nanoelsen - Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications
Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2026 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | RNDr. Gregušová Dagmar DrSc. |
* PEGANEL - p-GaN electronics for energy savings and beyond-CMOS circuits
p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2025 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
* Transit2D - Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion
Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou
| Duration: | 1.7.2022 - 30.6.2026 |
| Program: | APVV |
| Project leader: | Ing. Ťapajna Milan PhD. |
Impact of substrate material on positive bias temperature instabilities in enhancement mode Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMTs
Vplyv substrátu na teplotné nestability pri kladnom napätí v obohacovacích Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMT-och
| Duration: | 1.7.2024 - 31.12.2025 |
| Program: | PostdokGrant |
| Project leader: | Ing. Pohorelec Ondrej PhD. |
Projects total: 6
Note: * co-investigator