Zoznam medzinárodných projektov SAV
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
3D tlač atomárnych vrstiev ako nová paradigma pre múdru senzoriku
Atomic-layer 3D printing as a new paradigm for smart sensorics
| Doba trvania: |
1.6.2023 - 31.5.2026 |
| Program: |
ERANET |
| Zodpovedný riešiteľ: |
Ing. Hudec Boris PhD. |
| Anotácia: | Cieľom projektu je využitie novej rýchlej prototypovacej výrobnej metódy aditívnej výrovy atomárnych vrstiev (ALAM) na výrobu matice ne-identických mikroskopických senzorov vodíka na báze TiO2, usporiadaných do pred-programovanej hardvérovej neurónovej siete (HNN). Prvou aplikáciou bude prototyp smart vodíkového senzora na báze Pt/TiO2 s nízkou spotrebou a s nízkoúrovňovým spracovaním dát v seznore (in-sensor), vyrobený pomocou ALAM. Širšiu adopciu technológie ALAM budeme komukovať cez platformu otvoreného inovačného hubu, kde bude externým záujemcom umožnené rýchlo prototypovať rôzne dizajny HNN pre ALAM výrobu. Projekt adresuje potreby pre nové procesné technológie s ohľadom na obehové hospodárstvo s minimalizáciou odpadu a využitia kritických materiálov. Taktiež adresuje potrebu nových inteligentných senzorov so spracovaním údajov priamo v senzore pre rastúcu infraštruktúru vodíkovej energetiky. |
Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia
European Innovative GaN Advanced Microwave Integration
Magnetizmus a chiralita: točivé spiny, svetlo, a kryštalické mriezky pre rýchlejšiu spintroniku
Magnetism and chirality: twisting spins, light, and lattices for faster-than-ever spintronics
Ohmické kontakty pre efektívne PCSEL GaN diódy tvorené fotonickým kryštálom na báze oxidových materiálov
Oxide-based photonic crystal ohmic contacts for efficient GaN-based PCSEL diodes
| Doba trvania: |
1.10.2025 - 30.9.2028 |
| Program: |
ERANET |
| Zodpovedný riešiteľ: |
Ing. Gucmann Filip PhD. |
| Anotácia: | GaN povrchovo emitujúce lasery (PCSEL) integrujúce fotonický kryštál sú polovodičové súčiastky, ktoré majú potenciál výrazne zmeniť trh s výkonnými laserovými diódami. Ich potenciál je však značne negatívne ovplyvnený potrebou náročného submiokrometrového tvarovania fotonického kryštálu v GaN vrstve, ktoré spôsobuje tvorbu defektov a znižuje účinnosť celej laserovej diódy. Cieľom projektu bude vyvinúť technológiu prípravy GaN PCSEL súčiastok, kde bude horný ohmický kontakt tvorený vrstvou Al-dopovaného ZnO (AZO), v ktorej bude vytvarovaný fotonický kryštál. Týmto sa predíde tvarovaniu GaN vrstvy a tvorbe defektov v nej, ktoré by znížili účinnosť PCSEL súčiastky. Na konci projektu budú pripravené zapuzdrené GaN PCSEL demonštrátory, ktoré budú detailne charakterizované. |
Supravodivé káble podporujúce prechod na udržateľnú energetiku
Superconducting cables for sustainable energy transition
Uskutočňovanie aktivít popísaných v Ceste k fúzii počas Horizon2020 cestou spoločného programu členov konzorcia EUROfusion
Implementation of activities described in the Roadmap to Fusion during Horizon2020 through a Joint programme of the members of the EUROfusion consortium
Vybudovanie laboratória pre výskum spoľahlivosti výkonových modulov a spoločný výskum v oblasti GaN a Ga2O3 polovodičových výkonových súčiastok
Establishment of reliability laboratory for pawer modules and joint reserch of GaN and Ga2O3 power devices
Vývoj usmerňujúcich diód na báze oxidu galitého s vylepšenými tepelnými a elektrickými vlastnosťami vďaka integrácii s CVD diamantom
Development of CVD Diamond-Integrated Gallium Oxide Rectifying Diodes with Improved Thermal Performance and Electric Field Management
Vývoj vertikálnych kompozitov z dichalkogenidov prechodových kovov pre použitie v mikrosuperkondenzátoroch
Vertically aligned two-dimensional transition metal dichalcogenide composites for micro-supercapacitors
Celkový počet projektov: 9
Databáza medzinárodných projektov