Zoznam medzinárodných projektov SAV
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia
European Innovative GaN Advanced Microwave Integration
Fototlač atomárnych vrstiev
Photo-Atomic Layer Printing
Kombinácia fotodiód a scintilátorov pre detekciu ionizujúceho žiarenia
Combination of photodiodes and scintillators for detection of ionizing radiation
Magnetizmus a chiralita: točivé spiny, svetlo, a kryštalické mriezky pre rýchlejšiu spintroniku
Magnetism and chirality: twisting spins, light, and lattices for faster-than-ever spintronics
Ohmické kontakty pre efektívne PCSEL GaN diódy tvorené fotonickým kryštálom na báze oxidových materiálov
Oxide-based photonic crystal ohmic contacts for efficient GaN-based PCSEL diodes
| Doba trvania: |
1.10.2025 - 30.9.2028 |
| Program: |
ERANET |
| Zodpovedný riešiteľ: |
Ing. Gucmann Filip PhD. |
| Anotácia: | GaN povrchovo emitujúce lasery (PCSEL) integrujúce fotonický kryštál sú polovodičové súčiastky, ktoré majú potenciál výrazne zmeniť trh s výkonnými laserovými diódami. Ich potenciál je však značne negatívne ovplyvnený potrebou náročného submiokrometrového tvarovania fotonického kryštálu v GaN vrstve, ktoré spôsobuje tvorbu defektov a znižuje účinnosť celej laserovej diódy. Cieľom projektu bude vyvinúť technológiu prípravy GaN PCSEL súčiastok, kde bude horný ohmický kontakt tvorený vrstvou Al-dopovaného ZnO (AZO), v ktorej bude vytvarovaný fotonický kryštál. Týmto sa predíde tvarovaniu GaN vrstvy a tvorbe defektov v nej, ktoré by znížili účinnosť PCSEL súčiastky. Na konci projektu budú pripravené zapuzdrené GaN PCSEL demonštrátory, ktoré budú detailne charakterizované. |
Supravodivé káble podporujúce prechod na udržateľnú energetiku
Superconducting cables for sustainable energy transition
Štúdium vlastností nových oxidov pod vplyvom krátkych pulzov vysokého napätia v cryo podmienkach
Exploring the Properties of Novel Oxides by Short High-Voltage Pulses at Cryogenic Tempertatures
Vybudovanie laboratória pre výskum spoľahlivosti výkonových modulov a spoločný výskum v oblasti GaN a Ga2O3 polovodičových výkonových súčiastok
Establishment of reliability laboratory for pawer modules and joint reserch of GaN and Ga2O3 power devices
Vývoj usmerňujúcich diód na báze oxidu galitého s vylepšenými tepelnými a elektrickými vlastnosťami vďaka integrácii s CVD diamantom
Development of CVD Diamond-Integrated Gallium Oxide Rectifying Diodes with Improved Thermal Performance and Electric Field Management
Celkový počet projektov: 9
Databáza medzinárodných projektov