Ponuky SAV pre aplikačnú sféru

Výroba polovodičového detektora rtg. a gama žiarenia na báze zlúčeniny GaAs vo forme jednotlivého detektora, alebo monolitického poľa, napríklad riadku pixelov pre detekciu v oblasti 20-200 keV.

Kód: IMC-T-00-00001-ElU

Elektrotechnický ústav SAV

Kontaktná osoba:

Popis:

Rozmer čipu cca 7 x 2,5 mm2, hrúbka substrátu 200 - 300 mm. Počet pixelov v riadku v súčasnosti je 32 s periódou 220 mm. Čip s počtom pixelov 64 a periódou 110 mm sa vyvíja. Zákaznícky možno navrhnúť a vyrobiť ľubovoľnú verziu čipu. Čip je pripevnený na keramický nosník s periódou prívodov cca 400 mm.

Výhody použitia:

Výrobok tohoto typu doposiaľ na svetovom trhu