Facebook Instagram Twitter RSS Feed PodBean Back to top on side

Informačná stránka zamestnanca SAV

Projektová činnosť

Ing. Ondrej Pohorelec PhD.

Medzinárodné projekty

* Photohmic - Ohmické kontakty pre efektívne PCSEL GaN diódy tvorené fotonickým kryštálom na báze oxidových materiálov

Oxide-based photonic crystal ohmic contacts for efficient GaN-based PCSEL diodes

Doba trvania: 1.10.2025 - 30.9.2028
Program: ERANET
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Gucmann Filip PhD.


Národné projekty

* Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok

Critical aspects of the growth for a new generation of III-N devices

Doba trvania: 1.1.2022 - 31.12.2025
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.

* Nanoelsen - Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie

Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications

Doba trvania: 1.7.2022 - 30.6.2026
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Gregušová Dagmar DrSc.

* NovelTHz - Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku

Novel heterostructures for (sub)THz electronics

Doba trvania: 1.9.2025 - 31.8.2029
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.

* Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3

Thermal management in Ga2O3 based electronic and optoelectronic devices

Doba trvania: 1.1.2025 - 31.12.2028
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan PhD.

* Transit2D - Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou

Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion

Doba trvania: 1.7.2022 - 30.6.2026
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan PhD.

Vplyv substrátu na teplotné nestability pri kladnom napätí v obohacovacích Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMT-och

Impact of substrate material on positive bias temperature instabilities in enhancement mode Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMTs

Doba trvania: 1.7.2024 - 31.12.2025
Program: PostdokGrant
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Pohorelec Ondrej PhD.

Celkový počet projektov: 7

Poznámka: * spoluriešiteľ