Čo ponúkame - Najlepšie výsledky

Štúdium povrchových nábojov III-N heteroštruktúr pre realizáciu spínacích GaN tranzistorov

11. 12. 2022 | videné 91-krát

Heteroštruktúrne tranzistory na báze nitridu gália (Gan) predstavujú novú generáciu elektronických súčiastok pre výkonové a telekomunikačné aplikácie. napriek postupnej industrializácii elektroniky na báze Gan však chýba základné porozumenie rozloženia náboja na rozhraní oxid/polovodič hradlovej štruktúry mos, ktoré má priamy vplyv na nastavenie prahového napätia výslednej súčiastky. Nezodpovedanou otázkou zostáva pôvod povrchového náboja Gan polovodiča. V súbore prác sa realizovalo niekoľko technologických prístupov na manipuláciu hustoty povrchových nábojov v Gan mos tranzistoroch s oxidovou vrstvou pripravenou rôznymi technológiami. pri výskume boli vyhodnotené všetky relevantné náboje na rozhraní oxid/polovodič. následne bola vykonaná korelácia s mikroštruktúrnymi a chemickými vlastnosťami rozhrania. Výsledky ukazujú možnosti manipulácie veľkosti povrchových nábojov a naznačujú pôvod ich vzniku. Tieto poznatky sú nevyhnutné na vývoj technológie budúcej generácie rýchlych výkonových Gan tranzistorov.

Elektrotechnický ústav SAV

Riešitelia: Milan Ťapajna, Ján kuzmík, Dagmar Gregušová, Roman Stoklas

Zahraniční partneri: Hokkaido University (japonsko), Silesian University of Technology (Poľsko), MaV (Maďarsko)

Ťapajna, M. – Stoklas, R. – Gregušová, D. – Gucmann, F. – Hušeková, K.– Haščík, Š. – Fröhlich, K. – Tóth, l. – Pécz, B. – Brunner, F. – Kuzmík, J. Investigation of ‘surface donors‘ in al2o3/alGan/Gan metal-oxide-semiconductor hete- rostructures: correlation of electrical, structural, and chemical properties. In applied sur- face science, 2017, vol. 426, p. 656-661. (3.387 – iF2016). (2017 – current contents). issn 0169-4332.

Ťapajna, M. – Válik, l.– Gucmann, F. – Gregušová, D. – Fröhlich, k. – Haščík, Š. – Dobročka, E. – Tóth, l. – Pécz, B. – Kuzmík, J. Low-temperature atomic layer deposition-grown al2o3 gate dielectric for Gan/alGan/Gan mos hemts: impact of deposition conditions on interface state density. in journal of Vacuum science and technology b.microelectronics and nanometer structures, 2017, vol. 35, 01a107. (1.573 – iF2016). (2017 – current contents). issn 1071-1023.