Aktuality

Skupina vedcov Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., pod vedením Filipa Gucmanna sa v roku 2023 zamerala na nový polovodičový materiál Ga₂O₃ (oxid galitý). Tento materiál má potenciál umožniť výrobu elektronických súčiastok pre vysoko výkonové a vysoko napäťové aplikácie, kde zatiaľ nie sú dostupné komerčné súčiastky (> 10 kV).

Elektronické súčiastky vhodné pre vysoké napätia alebo výkony tvoria základ  konvertorov napäťových úrovní, ako sú spínané zdroje v spotrebnej elektronike alebo nabíjačky a regulátory výkonu elektromobilov.

Konvenčné materiály používané na ich výrobu limitujú nižšie účinnosti spínania alebo nízke pracovné napätia a výkony. Vhodné riešenie ponúkajú práve nové materiály s veľkou energetickou medzerou, z ktorých možno pripraviť súčiastky s vysokými prieraznými napätiami.

Vedci Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., ako jedni z prvých dosiahli kontrolovaný rast Ga₂O₃ rôznych kryštalických fáz na podložkách z karbidu kremíka (SiC), ktorý umožňuje lepší odvod stratového tepla z výkonových súčiastok a až šesťnásobné zníženie ich pracovnej teploty.

Zdroj a grafy: Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.

Foto: Martin Bystriansky