Informačná stránka organizácie SAV

https://ec.europa.eu/info/funding-tenders/opportunities/portal/screen/opportunities/projects-details/44181033/101102983/EDF

Anotácia:

Cieľom projektu je využitie novej rýchlej prototypovacej výrobnej metódy aditívnej výrovy atomárnych vrstiev (ALAM) na výrobu matice ne-identických mikroskopických senzorov vodíka na báze TiO2, usporiadaných do pred-programovanej hardvérovej neurónovej siete (HNN). Prvou aplikáciou bude prototyp smart vodíkového senzora na báze Pt/TiO2 s nízkou spotrebou a s nízkoúrovňovým spracovaním dát v seznore (in-sensor), vyrobený pomocou ALAM. Širšiu adopciu technológie ALAM budeme komukovať cez platformu otvoreného inovačného hubu, kde bude externým záujemcom umožnené rýchlo prototypovať rôzne dizajny HNN pre ALAM výrobu. Projekt adresuje potreby pre nové procesné technológie s ohľadom na obehové hospodárstvo s minimalizáciou odpadu a využitia kritických materiálov. Taktiež adresuje potrebu nových inteligentných senzorov so spracovaním údajov priamo v senzore pre rastúcu infraštruktúru vodíkovej energetiky.

AGAMI_EURIGAMI - Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia

European Innovative GaN Advanced Microwave Integration

Doba trvania:

15. 12. 2022 - 14. 12. 2026

Evidenčné číslo:

101102983

Program:

EDF

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Kuzmík Ján DrSc.

Web stránka projektu:

Fototlač atomárnych vrstiev

Photo-Atomic Layer Printing

Doba trvania:

1. 5. 2025 - 30. 4. 2028

Program:

ERANET

Zodpovedný riešiteľ:

Kombinácia fotodiód a scintilátorov pre detekciu ionizujúceho žiarenia

Combination of photodiodes and scintillators for detection of ionizing radiation

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2027

Evidenčné číslo:

SAS-TUBITAK/JRP/2024/1107.C/COPS

Program:

Medzivládna dohoda

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Feilhauer Juraj PhD.

CHIROMAG - Magnetizmus a chiralita: točivé spiny, svetlo, a kryštalické mriezky pre rýchlejšiu spintroniku

Magnetism and chirality: twisting spins, light, and lattices for faster-than-ever spintronics

Doba trvania:

2. 10. 2024 - 1. 10. 2028

Evidenčné číslo:

CA23136

Program:

COST

Zodpovedný riešiteľ:

Web stránka projektu:

https://www.cost.eu/actions/CA23136/#tabs+Name:Description

Photohmic - Ohmické kontakty pre efektívne PCSEL GaN diódy tvorené fotonickým kryštálom na báze oxidových materiálov

Oxide-based photonic crystal ohmic contacts for efficient GaN-based PCSEL diodes

Doba trvania:

1. 10. 2025 - 30. 9. 2028

Program:

ERANET

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Gucmann Filip PhD.

Anotácia:

GaN povrchovo emitujúce lasery (PCSEL) integrujúce fotonický kryštál sú polovodičové súčiastky, ktoré majú potenciál výrazne zmeniť trh s výkonnými laserovými diódami. Ich potenciál je však značne negatívne ovplyvnený potrebou náročného submiokrometrového tvarovania fotonického kryštálu v GaN vrstve, ktoré spôsobuje tvorbu defektov a znižuje účinnosť celej laserovej diódy. Cieľom projektu bude vyvinúť technológiu prípravy GaN PCSEL súčiastok, kde bude horný ohmický kontakt tvorený vrstvou Al-dopovaného ZnO (AZO), v ktorej bude vytvarovaný fotonický kryštál. Týmto sa predíde tvarovaniu GaN vrstvy a tvorbe defektov v nej, ktoré by znížili účinnosť PCSEL súčiastky. Na konci projektu budú pripravené zapuzdrené GaN PCSEL demonštrátory, ktoré budú detailne charakterizované.

SCARLET - Supravodivé káble podporujúce prechod na udržateľnú energetiku

Superconducting cables for sustainable energy transition

Doba trvania:

1. 9. 2022 - 28. 2. 2027

Evidenčné číslo:

Horizont Európa-101075602

Program:

Horizont Európa

Zodpovedný riešiteľ:

doc. Ing. Gömöry Fedor DrSc.

Web stránka projektu:

https://scarlet-project.eu/

Štúdium vlastností nových oxidov pod vplyvom krátkych pulzov vysokého napätia v cryo podmienkach

Exploring the Properties of Novel Oxides by Short High-Voltage Pulses at Cryogenic Tempertatures

Doba trvania:

1. 7. 2025 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

2025-03-15-004

Program:

Bilaterálne - iné

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Egyenes Fridrich PhD.

Vybudovanie laboratória pre výskum spoľahlivosti výkonových modulov a spoločný výskum v oblasti GaN a Ga2O3 polovodičových výkonových súčiastok

Establishment of reliability laboratory for pawer modules and joint reserch of GaN and Ga2O3 power devices

Doba trvania:

1. 7. 2023 - 30. 6. 2027

Evidenčné číslo:

SK-TW

Program:

Bilaterálne - iné

Zodpovedný riešiteľ:

doc. Ing. Skákalová Viera DrSc.

Vývoj usmerňujúcich diód na báze oxidu galitého s vylepšenými tepelnými a elektrickými vlastnosťami vďaka integrácii s CVD diamantom

Development of CVD Diamond-Integrated Gallium Oxide Rectifying Diodes with Improved Thermal Performance and Electric Field Management

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2026

Evidenčné číslo:

CAS-SAS-2024-08

Program:

Mobility

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Gucmann Filip PhD.

Národné projekty

Grafénom zapuzdrené dvojrozmerné magnetické materiály ako platforma pre spintronické zariadenia

Graphene encapsulated two-dimensional magnetic materials as a platform for spintronics devices

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 8. 2026

Evidenčné číslo:

09I05-03-V03-00071

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Precner Marián PhD.

Anotácia:

V súčasnosti zaznamenáva oblasť materiálovej vedy rýchly rast. Tento projekt sa venuje skúmaniu a vývoju dvojrozmerných van der Waalsových heteroštruktúr, ktoré predstavujú fyzikálne systémy, ktoré zohrávajú kľúčovú úlohu pri rozvoji budúcich technológií zameraných na digitálnu a ekologickú energetickú transformáciu v súlade so všeobecnými záujmami našej spoločnosti. Predmetom nášho skúmania sú nové systémy – dvojrozmerné magnetické kovové jodidy zapuzdrené v graféne, ktoré sa pripravia syntetickou metódou (SinGO) v jedinom kroku. Projekt spája výskumné tímy s komplementárnymi odbornými znalosťami a infraštruktúrou s cieľom maximalizovať synergiu, čo umožní realizovať základný teoretický a experimentálny výskum, technologické zdokonalenie prípravy vzoriek a demonštráciu koncepcie, ktorá ukáže, že konverziu náboja na spin možno realizovať prostredníctvom efektov vyvolaných vzájomnou blízkosťou vo vyrobených prototypových zariadeniach.

Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo

Cost-effective Ga2O3-diamond heterojunction photodetectors for solar-blind UV imaging

Doba trvania:

1. 8. 2024 - 30. 7. 2029

Evidenčné číslo:

IM-2023-87

Program:

IMPULZ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Varga Marian PhD.

Dvojrozmerné materiály a ich heteroštructúry ako platforma pre multifunkčné zadiadenia

Two-dimensional materials and their heterostructures as a platform for multifunctional devices

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2029

Evidenčné číslo:

1/0104/25

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

CERBERUS - Farebné centrá v diamante – korelácia medzi atómovou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami

Colour centres in diamond – correlation between atomic structure and opto-electronic properties

Doba trvania:

1. 9. 2024 - 31. 12. 2027

Evidenčné číslo:

APVV-23-0361

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Izsák Tibor PhD.

Anotácia:

Predmetom projektu je oblasť kvantových technológií. Pripravíme a charakterizujeme opticky aktívne defekty v diamantoch a korelujeme atómové štruktúry s optickými vlastnosťami využiteľnými pre kvantové aplikácie. Pre široký rozsah koncentrácií dopantov identifikujeme distribúciu dopantov a pomocou mikroskopie s atomárnym rozlíšením a spektroskopických techník budeme pozorovať vývoj jednotlivých konfigurácií atómov dopantu počas tepelného žíhania. Ďalej budeme študovať vplyv žíhania na optoelektronické vlastnosti meraním fotoluminiscencie, fotoprúdu a elektroluminiscencie pre rovnakú sadu vzoriek. Pre meranie fototransportu budú pripravené priehľadné grafénové elektródy na diamantovom povrchu. Pre meranie elektroluminiscencie budú pripravené hybridné p-i-n diódy na báze diamantu. Zameriame sa na hľadanie korelácie medzi atomárnou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami rôzne dopovaných diamantov. To prispeje k pochopeniu fundamentálneho vzťahu potrebného na efektívne navrhovanie opticky aktívnych prvkov pre diamantové kvantové zariadenia.

Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické aplikácie

2D TMD-based heterostructures for electronic applications

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2028

Evidenčné číslo:

2/0075/25

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Feilhauer Juraj PhD.

InN: prielom v elektronike tuhej fázy

InN: Breaking the Limits of Solid-State Electronics

Doba trvania:

1. 11. 2023 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I01-03-V04 -00019

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Kuzmík Ján DrSc.

Anotácia:

Projekt InBreak nadväzuje na pôvodný horizontový projekt NANOMAT. Cieľom NANOMATu je inaugurovať a založiť novú doménu „Flexibilnej (konformnej) výkonovej RF nanoelektroniky“ prostredníctvom ambicióznej inovatívnej heterogénnej technologickej platformy zahŕňajúcej elektroniku na organickej báze a chladiče, polovodičové monolitické mikrovlnné integrované obvody so širokým pásmovým rozdielom (MMIC), rádiofrekvenčné mikroelektromechanické akčné členy (RF MEMS) a akustické senzory. V projekte InBreak bude InN ako jedinečný polovodičový materiál rásť ako plne namáhaný kanál na navrhnutej prispôsobenej vyrovnávacej vrstve InAlN s polaritou N. Očakávame koherentný rast a teoreticky predpovedaný výkon HEMT InN kanála. V projekte bude teda konvenčný GaN buffer nahradený uvoľneným InAlN s In molárnou frakciou 0,7-0,9. Očakávame, že tento prístup v kombinácii s tenkou GaN medzivrstvou medzi InAlN bariérou a InN kanálom povedie k vynikajúcemu zadržaniu 2-rozmerného elektrónového plynu (2DEG) s vysokou hustotou v epi-štruktúrach. Splnenie projektu umožní dosiahnutie podstatne vyšších pracovných frekvencií s potenciálom prechodu na technológiu 6G v (sub)THz pásme.

Kontrola magnetického usporiadania topologického magnónového kryštálu

Control of magnetic order in artificial magnonic crystal

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 31. 12. 2026

Evidenčné číslo:

2/0168/24

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Jedna z najunikátnejších vlastností 2D topologického izolátora je, že jeho vnútro je izolant, zatiaľ čo jeho okraje obsahujú vodivé stavy chránené symetriou, odolné voči rozptyľovačom. Tieto okrajové stavy sú jednosmerné (t. j. imúnne voči spätnému rozptylu), čo z nich robí sľubných kandidátov na nosiče informácií v budúcich súčiastkach na spracovanie informácií a logických hradlách. Nedávno sme navrhli teoretický model feromagnetického umelého kryštálu s topologickými spinovými vlnami (magnónmi), kde jednosmerné okrajové stavy existujú v širokom rozsahu frekvencií. Geometria nášho magnónového kryštálu (MC) je jednoduchá a mala by byť experimentálne realizovateľná. Jednou z hlavných výziev je však pripraviť MC v správnom magnetickom stave, takom, že magnetizácie prvkov tvoriacich elementárnu bunku cirkulujú s rovnakou chiralitou vo všetkých bunkách kryštálu. Hlavným cieľom tohto projektu je nájsť spoľahlivú metódu založenú na tepelnom žíhaní, ktorou sa dá dosiahnuť požadovaný magnetický stav nášho MC.

Materiály so zvýšenou bezpečnosťou pre Li-iónové batérie

Enhanced safe materials for Li-ion batteries

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 8. 2026

Evidenčné číslo:

09I04-03-V02-00028

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

RNDr. Gregušová Dagmar DrSc.

Anotácia:

Vývoj, výroba a používanie batérií sú životne dôležité pre prechod EÚ na klimaticky neutrálne hospodárstvo, pretože batérie zohrávajú kľúčovú úlohu pri doprave, energetike a priemysle s nulovými emisiami. Lítium-iónové batérie 3. generácie sú v súčasnosti najrozšírenejšou batériou používanou v mobilných vozidlách s elektrickým pohonom. Cieľom projektu je vyvinúť materiály, ktoré zvýšia bezpečnosť prevádzky lítium-iónových batérií pasívnym spôsobom. Každý z komponentov Li-iónovej batérie môže prispieť k zvýšeniu bezpečnosti prevádzky batérií. V rámci projektu máme v úmysle vyvinúť anódu a katódu so zvýšeným výkonom a vlastnosťami spomaľujúcimi horenie. Ďalej bude navrhnutý nový typ separátora, ktorý zabráni mechanickému a tepelnému poškodeniu počas prevádzky. Nakoniec budú vyhodnotené elektrochemické vlastnosti a výkon štandardnej batérie a batérie pozostávajúcej z materiálov so zvýšenou bezpečnosťou v podmienkach blízkych tepelnému kolapsu.

Memristívna senzorika pre post-digitálnu elektroniku

Memristive sensorics for post-digital electronics

Doba trvania:

1. 9. 2023 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I03-03-V02-00044

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Dehghan Mohammad

Anotácia:

„In-sensor computing“ je novou paradigmou pre elektroniku 21. storočia, inšpirovanou prírodou. V dnešnej elektronike je pre ďalšie spracovanie potrebné všetky zašumené, neštruktúrované dáta zo senzorov najprv digitalizovať. Toto bude čoskoro problém vzhľadom na exponenciálny nárast počtu senzorov a nimi produkovaným dát, ako v spotrebiteľskej elektronike ako sú samojazdiace vozidlá, tak aj v priemysle v rámci Industrie 4.0. Na druhej strane, v systémoch inšpirovaných prírodou nie sú senzory a spracovanie oddelené, naopak, senzorické uzly priamo tvoria synaptické spojenia hardvérovej neurónovej siete, kde vonkajšie senzorické stimuly priamo ovplyvňujú maticu synaptických váh. Toto umožňuje do siete zakódovať jednoduché algoritmy pre spracovanie signálov do rozumných výstupov v reálnom čase. V tejto téze sa študent naučí a porozumie ako postaviť takýto prototypový „smart“ senzorový systém od základov, a to depozíciou, tvarovaním a skladaním ultra-tenkých (~nm) kovových a oxidových filmov do jednoduchých senzorov a memristorov, s následným usporiadaním týchto súčiastiek do funkčných senzorických matíc neurónovej siete na čipe. Študent získa expertízu v nano-fabrikačných metódach s dôrazom na depozíciu po atomárnych vrstvách (ALD), metódach materiálových a elektrických analýz, a návrhu hardvérových neurónových sietí na báze nových súčiastok. Téza je súčasťou širšieho projektu a študent bude súčasťou nášho výskumného tímu. Hľadáme kreatívneho a nadšeného tímového hráča, predchádzajúca skúsenosť v príbuzných oblastiach je plusom.

Nanoelsen - Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie

Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications

Doba trvania:

1. 7. 2022 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

APVV-21-0278

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Predkladaný projekt je zameraný na základný výskum procesov prípravy a vlastností polovodivých sulfidov prechodových kovov ako Mo, W a Ni a vybraných kombinácii s ich oxidmi vo forme zmiešaných sulfidov a oxidov, ako aj o možnostiach ich dopovania vzácnymi kovmi (Pt, Au) pre použitie v senzoroch plynov ako aj v superkondenzátoroch. Zároveň predpokladáme plné využitie polovodičových mikroelektronických a mikromechanických techník a mikro/nanotechnológií, čo významnou mierou môže pomôcť ku kvalitatívne zlepšeným detekčným vlastnostiam, nízkej prevádzkovej spotrebe elektrickej energie senzorov na detekciu plynov ako aj k zvýšenej energetickej účinnosti a doby života superkondenzátorov.

NovelTHz - Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku

Novel heterostructures for (sub)THz electronics

Doba trvania:

1. 9. 2025 - 31. 8. 2029

Evidenčné číslo:

APVV-24-0166

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Kuzmík Ján DrSc.

Anotácia:

Rýchlosť a zložitosť digitálnych logických obvodov Si CMOS sa neustále zvyšuje zmenšovaním tranzistorov Si MOSFET, ale to nemôže pokračovať do nekonečna. Ďalší pokrok, ktorý je nevyhnutný pre počítače s vyššou kapacitou a energetickou účinnosťou, možno dosiahnuť nahradením tranzistorového Si kanála polovodičom typu III-V, ktorý poskytne významné zvýšenie rýchlosti elektrónov. Podobne rastie záujem o používanie frekvencií THz v ultra-vysokorýchlostných informačných a komunikačných systémoch, ako je bezdrôtová komunikácia, alebo v infračervených zobrazovacích systémoch a spektroskopickej detekcii. InN je uznávaný sľubný kandidát pre ultravysokorýchlostnú elektroniku už takmer dve dekády. V skutočnosti, tieto očakávania boli veľmi nedávno podporené aj tým, že sme extrahovali rýchlosť elektrónov 1 × 10e8 cm/s v 775 nm hrubej InN epitaxnej vrstve narastenej molekulárnou zväzkovou epitaxiou. To je najvyššia hodnota, aká bola kedy zaznamenaná v akomkoľvek polovodičovom materiáli. Bohužiaľ, kvôli veľkému neprispôsobeniu InN mriežky ku GaN podložke, tenšie InN vrstvy trpia veľkou hustotou defektov a nízkou pohyblivosťou elektrónov. Preto sa zatiaľ nepodarilo demonštrovať mikrovlnný tranzistor na báze InN. Cieľom navrhovaného projektu je rozšíriť naše súčastné široké znalosti v oblasti fyziky, rastu a implementácie heteroštruktúr s InN kanálom a etablovať ďalšie nové postupy epitaxie heteroštruktúr nevyhnutné pre uskutočnenie (sub)THz elektroniky. Zameriavame sa najmä na zlepšenie kryštalografickej a materiálovej kvality navrhovaných heteroštruktúr implementáciou nových techník MOCVD, ako sú: i/ Epitaxia s modulovaným prietokom, ii/ Rast na rôzne naklonenom zafíre, iii/ Rast krycej vrstvy a manipulácia náboja pomocou polarizácie, s cieľom dosiahnuť iv/ Demonštrácia a kvalifikácia nových III-N heteroštruktúr pre (sub)THz tranzistorovú elektroniku.

Nové hybridné polovodičové štruktúry pre detekciu ionizujúceho žiarenia

New hybrid semiconductor structures for ionizing radiation detection

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 31. 12. 2027

Evidenčné číslo:

2/0063/24

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Nové polovodičové materiály pre pixelové senzory s využitím pre digitálnu rádiografiu

New semiconductor materials for pixel sensors with applications in digital radiography

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I05-03-V02-00073

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Dr. rer. nat. Hulman Martin

Anotácia:

Digitálne zobrazovanie s využitím rtg alebo iných typov ionizujúceho žiarenia (neutróny, elektróny, ióny ...) je čoraz viac využívanejšie v rôznych oblastiach ľudskej činnosti. Digitálne systémy pracujúce v režime tvz. počítania jednotlivých častíc resp. udalostí získavajú čoraz väčší záujem o skúmanie a postupný rozvoj. Najperspektívnejšie v tejto oblasti sa javia vyčítavacie čipy typu Timepix vyvinuté v CERNe. Hlavným cieľom projektu je príprava a optimalizácia polovodičových pixelových senzorov pre vyčítavací čip TPX4. Využijeme naše doterajšie skúsenosti s prípravou senzorov na báze SiC a GaAs, ktoré s týmto čipom doteraz neboli použité. Výhoda nového TPX4 čipu oproti predchádzajúcej verzii je vo väčšej detekčnej ploche (3,5×), vyššej maximálnej rýchlosti (8×), lepšiemu energetickému rozlíšenie a časovému rozlíšeniu. Využitie týchto senzorov resp. radiačných kamier by bolo najmä v priemysle pri defektoskopii, analýze rôznych materiálov, v medicíne, v kozmickom výskume a podobne.

ROTOLES - Optimalizovaný rast a transportné a optické vlastnosti tenkých vrstiev vybraných topologických polokovov

Optimised growth and the transport and optical properties of thin layers of selected topological semimetals

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 30. 6. 2027

Evidenčné číslo:

APVV-23-0564

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Jedným zo zásadných výsledkoch kvantovej mechaniky v dvadsiatych rokoch 20. storočia bolo odvodenie relativistické rovníc pre hmotné fermióny (Dirac), nehmotné fermióny (Weyl) a fermióny ktoré sami sebe antičastice (Majorana). Od tých čias prebieha v časticovej fyzike pátranie po časticiach, ktoré by reprezentovali Weylove a Majoranove fermióny. Ich hľadanie však dodnes nebolo úspešné. V priebehu posledných dvadsiatich rokov sa ukázalo, že pásová štruktúra niektorých tuhých látok má tak špeciálne charakteristiky, že nosiče náboja sa v nich môže správať podľa dynamiky spĺňajúcej Diracovu alebo Weylovu relativistickú rovnicu. Medzi takéto látky patria a materiály zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov, na ktoré sa sústredíme v našom projekte. My budeme pracovať s veľmi tenkými vrstvami vybraných materiálov z tejto skupiny, ako sú PtSe2, MoTe2 a WTe2. Prvým krokom v implementácii projektu bude príprava takýchto vrstiev metódou chalkogenizácie tenkých filmov prechodových kovov. Tenké vrstvy budeme potom skúmať pomocou meraní ich transportných a optických vlastností. Teplotne závislé merania transportu nám môžu ukázať prechody medzi rôznymi štruktúrami toho istého materiálu. Očakávame, že sa bude dať pozorovať prechod kov-izolant v prípade, keď sa bude meniť hrúbka takýchto tenkých vrstiev. Pri veľmi nízkych teplotách môžu niektoré z týchto materiálov prejsť do supravodivého stavu. Tento stav sa pokúsime vyvolať aj proximitne, t.j. keď je tenká vrstva v kontakte s iným supravodičom. Optické merania budú korelované s transportnými meraniami. Z nich odvodíme dôležité optické charakteristiky, ako je napríklad frekvenčná závislosť optickej vodivosti. Vo frekvenčnej závislosti optickej vodivosti budeme hľadať charakteristiky teoreticky predpovedané pre Diracove a Weylove fermióny.

PIRADUNEW - Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov

Perspective ionizing radiation detectors for the uncovered neutron energy window

Doba trvania:

1. 7. 2023 - 30. 6. 2027

Evidenčné číslo:

APVV-22-0382

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Predmetom predkladaného projektu je optimalizácia a príprava polovodičových detekčných štruktúr na báze 4HSiC a polykryštalického diamantu vhodných pre detekciu neutrónov. V rámci projektu budú pripravované a skúmané single detektory najmä pre energie neutrónov od 100 keV do niekoľkých MeV. V tejto oblasti energií je v súčasnosti málo citlivých neutrónových detektorov. Výhody SiC a polykryštalického diamantu sú vysoká radiačná a teplotná odolnosť štruktúr. Dôležitá je aj vysoká spektrometrická schopnosť SiC detektorov hlavne pri detekcii neutrónov s energiami pod 1 MeV. Polykryštalický diamant je cenovo dostupnejší oproti SiC a naše prvé predbežné výsledky ukazujú jeho sľubné detekčné vlastnosti najmä pri detekcii ionizujúcich častíc. Ďalšou výhodou obidvoch typov polovodičov je nízka citlivosť pre gama žiarenie, ktoré je takmer vždy prítomné v prípade, že pri jadrovej reakcii dochádza k vzniku neutrónov. Toto gama žiarenie zvyšuje pozadie a zhoršuje citlivosť v súčasnosti využívaných detektorov. Ďalej budú pripravované a skúmané aj pixelové senzory pre vyčítavací čip Timepix/Medipix. Prototypy radiačnej kamery budú testované a kalibrované pomocou zdroja monoenergetických neutrónov.

Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre vysoko-energetické

Perspective ionizing radiation detectors for high-energy particles

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I03-03-V06-00108

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Cieľom projektu je obstaranie výskumnej infraštruktúry, ktorá bude využitá počas implementácie projektu APVV-22-0382 a na realizáciu ďalšieho nezávislého výskumu a vývoja vykonávaného organizáciou.

Pokročilé hybridné superkondenzátorové prvky na báze 2D materiálov

Advanced 2D based hybrid supercapacitor devices

Doba trvania:

1. 3. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I05-03-V02-00037

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Chromik Štefan DrSc.

Anotácia:

Projekt je zameraný na výskum a vývoj pokročilých 2D-TMD, uhlíkových materiálov a elektródových architektúr pre aplikácie superkondenzátorov. Cieľom je zvýšiť hustotu energie, životnosť a výkon superkondenzátorov ako udržateľných alternatív na skladovanie energie k batériám pre kľúčové digitálne elektronické a elektronické aplikácie. V rámci projektu budú skúmané materiály na báze uhlíka (2D g-C3N4, biouhlie), 2D-TMD pseudokapacitné materiály (napr. MoS2), materiály batériového typu (napr. NiS2, Ni(OH)2) a ich kompozity, nanoštruktúry/heteroštruktúry v konfigurácií bez spojív ako perspektívne negatívne a pozitívne elektródy pre pokročilé hybridné superkondenzátorové zariadenia. Superkondenzátory so zlepšenými vlastnosťami zvýšia udržateľnosť a užívateľskú hodnotu elektronických systémov a spustia nové aplikácie a nové obchodné príležitosti v kľúčových digitálnych technológiách a mobilite v slovenskom a európskom priestore.

Pokročilé nízkotrecie povlaky na báze ultratenkých 2D-TMDC pre extrémne podmienky

Lubrication challenge for ultra-thin advanced 2D-TMDC in extreme conditions

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I03-03-V04-00709

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Kozak Andrii PhD.

Anotácia:

Trenie, adhézia a opotrebovanie sú významne ovplyvnené nielen chemickými a fyzikálnymi vlastnosťami predmetov v relatívnom pohybe, ale aj ich tvarom, rozmermi interagujúcej plochy a prostredím. Zmenšenie pohybujúcich sa objektov na nanoškálu spôsobuje, že povrchové sily začnú dominovať tribologickému správaniu a možno pozorovať výskyt ďalších mechanizmov disipácie energie, ktoré môžu byť rozhodujúce pre životnosť a spoľahlivosť systémov. Na druhej strane, prostredie spôsobuje rôzne účinky na klzné rozhranie, čo podporuje štrukturálnu superlubricitu alebo opačné extrémne vysoké trenie spôsobené atómovými interakciami. Cieľom tohto projektu je vývoj nízkotrecích povlakov využiteľných pre pokročilé aplikácie na nano- a makroúrovni. Budeme pripravovať ultratenké povlaky na báze 2D dichalkogenidov prechodových kovov (PtSe2, MoSe2) s cieľom študovania ich štruktúrnych zmien počas trenia na vzduchu a vo vákuu ako aj zvýšenej teplote. Procesy trenia a opotrebenia povrchu 2D materiálov a ich rozhraní budeme systematicky analyzovať na nano- aj makroškále. Získané poznatky využijeme na vývoj nových ultratenkých nízkotrecích povlakov pre rôzne kovové substráty na báze 2D materiálov využiteľných vo vákuu.

Príprava a vlastnosti supravodivých, magnetických a dielektrických oxidových vrstiev a štruktúr pre moderné elektronické aplikácie

Preparation and properties of superconducting, magnetic and dielectric oxide films and structures for modern electronic applications

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2026

Evidenčné číslo:

PAS-SAS-2024-06

Program:

Vedecko-technické projekty

Zodpovedný riešiteľ:

PULSAR - Pulzná laserová depozícia veľkoplošných heteroštruktúr 2D materiálov pre vysoko výkonnú elektroniku

PULSed laser deposition of large ARea 2D materials heterostructures for high performance electronics

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2026

Evidenčné číslo:

CNR-SAS-2024-06

Program:

Vedecko-technické projekty

Zodpovedný riešiteľ:

RNDr. Španková Marianna PhD

STEPHANIK - Slovenská technická ekosférická platforma

Slovak Technical Ecosphere Platform

Doba trvania:

1. 4. 2025 - 30. 6. 2027

Evidenčné číslo:

09I02-03-V01-00038

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

https://www.stephanik.eu/

Web stránka projektu:

Smart senzory plynu a teploty s nízko-úrovňovým in-sensor spracovaním dát na báze neurónovej siete

Smart gas and temperature sensors with neural-network-based low-level in-sensor data processing capability

Doba trvania:

1. 3. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I05-03-V02-00058

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing.Mgr. Janík Marián PhD.

Anotácia:

Veľké množstvo senzorických prvkov komunikujúcich navzájom alebo s centrálnymi riadiacimi jednotkami je neoddeliteľnou súčasťou internetu vecí. Problematickým je však s tým súvisiaci prenos a spracovanie extrémneho množstva produkovaných dát. Jedným z riešení uvedeného problému je spracovanie senzorických dát v tesnej blízkosti senzora (tzv. near-sensor computing), alebo priamo v senzore (tzv. in-sensor computing), čím sa radikálne znižujú nároky na ich následný prenos a spracovanie. V tomto projekte sa zameriavame na vývoj rezistívnych senzorov plynov a teploty implementovaných do synaptickej matice hardvérovej neurónovej siete, čo umožní nízko-úrovňové spracovanie nameraných senzorických dát priamo v tejto sieti pomocou hardvérového algoritmu. V projekte vyvinieme metodiku na výpočet tohto algoritmu ako aj na jeho zakódovanie do senzorovej matice. Táto metodika bude jedným z výstupov projektu s potenciálom širšieho uplatnenia v hardvérových neurónových sieťach.

Supravodiče s vysokou kinetickou indukčnosťou pre aplikácie v kvantových obvodoch

High kinetic inductance superconductors for quantum circuits applications

Doba trvania:

1. 11. 2024 - 30. 10. 2027

Program:

Iné projekty

Zodpovedný riešiteľ:

Supravodivé komponenty pre vodíkovo-elektrické lietadlá

Superconducting components for hydrogen-electric aircraft

Doba trvania:

1. 3. 2024 - 31. 8. 2026

Evidenčné číslo:

09I04-03-V02-00039

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Pardo Enric PhD.

Anotácia:

Letecká doprava je rastúcim zdrojom emisií skleníkových plynov (CO2, NOx a vodná para vo vysokých výškach). Ceny fosílnych palív pritom budú ďalej rásť. Budúcnosť komerčného letectva tak predstavujú lietadlá bez emisií. Veľmi perspektívne sú vodíkovo-elektrické lietadlá, pri ktorých elektrina pochádza buď z vodíkových palivových článkov alebo zo spaľovania vodíka v turbínových generátoroch. Elektrické hnacie ústrojenstvo umožňuje distribuovaný pohon, ktorý výrazne zlepšuje aerodynamiku lietadla a má potenciál ušetriť až 70 % energie. Keďže tekutý vodík vrie pri teplote 20 K (-253o C), je možné použiť supravodivé elektrické motory a káble na prenos energie, ktoré sú oveľa ľahšie ako bežné. Predkladaný projekt je zameraný na vývoj supravodivých komponentov hnacej sústavy (elektromotory, napájacie káble) a supravodivých materiálov z ktorých sa skladajú. Výsledky projektu budú užitočné aj pre iné oblasti dekarbonizácie, ako jadrová fúzia, veterné turbíny a prenos elektrickej energie.

Štúdium 2D heteroštruktúr na báze TMD

Study of TMD-based 2D heterostructures (TO-DO)

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

SK-AT-23-0021

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Tepelná stabilita supravodivých cievok a filamentovaných REBCO pások

Thermal stability of superconducting coils and filamentized REBCO tapes

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 31. 12. 2026

Evidenčné číslo:

2/0098/24

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Seiler Eugen PhD

Anotácia:

Projekt sa zaoberá skúmaním elektricko-tepelnej stability filamentovaných supravodivých REBCO pások a supravodivých cievok pri transporte elektrického prúdu. Cieľom je vyvinúť teoretické modely a výpočtové metódy umožňujúce určiť maximálny transportný prúd ktorý môže tiecť supravodivou cievkou a filamentovanou páskou bez rizika prudkého lokálneho ohrevu. Charakterizácia pások a cievok bude vychádzať zo štandardných meraní a takisto aj z osobitne navrhnutých experimentov a umožní tak zapracovať do modelov reálne parametre v praxi dostupných supravodivých vodičov. Pre účely experimentálnej verifikácie teoretických modelov tepelnej stability supravodivých cievok budú skonštruované špeciálne modelové cievky vybavené sadou napäťových a teplotných senzorov pre detailné sledovanie elektricko-tepelnej stability. Výstupy teoretických modelov budú následne použité pri konštrukcii cievok väčších rozmerov, použiteľných v reálnych elektrických zariadeniach.

Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3

Thermal management in Ga2O3 based electronic and optoelectronic devices

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 12. 2028

Evidenčné číslo:

2/0156/25

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Chromik Štefan DrSc.

Anotácia:

Ga2O3 je nový polovodičový materiál s potenciálom pre využitie v technológiách výkonových elektronických súčiastok a detektorov UV a RTG žiarenia. Hlavnou nevýhodou Ga2O3 je jeho nízka tepelná vodivosť, ktorá predstavuje potenciálny problém pri efektívnom chladení výkonových súčiastok. Cieľom tohto projektu je vyvinúť pokročilé stratégie tepelného manažmentu v Ga2O3 elektronických a optoelektronických súčiastkach. Najprv sa zameriame na vývoj rastu vrstiev Ga2O3 na vysoko tepelne vodivých (HTC) substrátoch, ako sú SiC a diamant, pomocou rôznych metód CVD s cieľom skúmať a optimalizovať transportné a tepelné vlastnosti Ga2O3 vrstvy a tepelnú vodivosť rozhrania Ga2O3/HTC substrát. Druhým cieľom je vyvinúť technológiu CVD rastu diamantovej vrstvy na povrchu Ga2O3 slúžiacej na rozptyl tepla generovaného v aktívnej oblasti súčiastky. Tretí cieľ je zameraný na vývoj heteroepitaxných pn fotodiód na báze polykryštalickej štruktúry p-diamant/n-Ga2O3 pre konštrukciu UV fotodetektora necitlivého na slnečné žiarenie.

TECHAPHO - Ternárne chalkogenidové perovskity pre fotovoltaiku

Ternary chalcogenide perovskites for photovoltaics

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 30. 6. 2028

Evidenčné číslo:

APVV-23-0202

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Cieľom navrhnutého projektu je príprava ternárnych chalkogenidov perovskitovej štruktúry a systematická charakterizácia vzťahu medzi zložením, štruktúrou, optickými vlastnosťami, tepelnou a chemickou stabilitou s potenciálnym využitím vo fotovoltaike, príp. iných optoelektronických aplikáciách. Výsledkom bude pripravená skupina čistých ternárnych chalkogenidov vo forme kryštalických materiálov, tenkých filmov so známymi ako aj po prvýkrát pripravenými chemickými zloženiami a komplexná charakterizácia ich optických, elektronických vlastností, ako aj tepelnej a chemickej stability. Ternárne chalkogenidy budú takisto pripravené aj mokrou cestou do 350 °C v podobe nanokryštálov, ktoré budú charakterizované z hľadiska ich štruktúry a morfológie. Pripravený bude aj prototyp solárneho článku, ktorý doteraz nebol nikdy pripravený, po testoch výkonnosti bude prebiehať jeho optimalizácia.

ToMaNGeD - Topologické materiály pre prvky novej generácie

Topological Materials for Next-Generation Devices

Doba trvania:

1. 7. 2025 - 30. 6. 2027

Evidenčné číslo:

DS-FR-24-0059

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Dr. rer. nat. Hulman Martin

Transit2D - Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou

Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion

Doba trvania:

1. 7. 2022 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

APVV-21-0231

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

RNDr. Španková Marianna PhD

Anotácia:

2D materiály majú schopnosť vytvárať atomárne tenké vrstvy s mimoriadnymi vlastnosťami. Jednou z najsľubnejších skupín 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Zmena typu energetickej medzery z nepriamej na priamu pri stenčovaní na monoatomárnu vrstvu vedie k jedinečným elektrickým a optickým vlastnostiam 2D TMD. Ďalšou zaujímavou skupinou 2D materiálov sú chalkogenidy post-prechodných kovov (PTMC). Tieto materiály majú širokú energetickú medzeru a v závislosti od štruktúry materiálu vykazujú anizotropné elektrické a optické vlastnosti. Cieľom tohto projektu je príprava poľom riadených tranzistorov s izolovaným hradlom (MOSFET) a ultra-tenkou kanálovou vrstvou na báze vybraných TMD a PTMC a podrobné študovanie ich transportných vlastností. Zameriame sa na veľkoplošné niekoľkovrstvové PtSe2 a GaS/GaSe vrstvy rastené teplom asistovanou konverziou, teda sulfurizáciou a selenizáciou. Na základe existujúcich skúseností budeme optimalizovať štruktúrne a elektrické vlastnosti horizontálne-orientovaných PtSe2 vrstiev pripravených selenizáciou s cieľom dosiahnutia pohyblivosti nosičov náboja porovnateľnej s najkvalitnejšími vrstvami pripravenými mechanickou exfoliáciou. Následne budeme vyvíjať a optimalizovať procesnú technológia MOSFET súčiastok využívajúca architektúru hornej aj spodnej hradlovej elektródy. Na rast hradlových oxidov budú použité etablované metódy rastu po atomárnych vrstvách a chemickej depozície z pár organokovových zlúčenín (MOCVD). 2D vrstvy GaS/GaSe budeme pripravovať pomocou chalkogenizácie ultratenkých vrstiev Ga2O3 rastených metódou MOCVD. Po vývoji a optimalizácii rastu 2D GaS/GaSe sa zameriame na vývoj MOSFET súčiastok. Okrem elektrických vlastností budeme skúmať aj optické vlastnosti pripravených 2D materiálov.

Veľkoplošná výroba a charakterizácia 2D materiálov

Large-scale production and characterization of 2D materials

Doba trvania:

1. 9. 2023 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I03-03-V02-00044

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr.Phil. Ahmad Faizan

ViPVyTS/MuTaHiTS - Viacpáskové vysokoteplotné supravodivé cievky pre supravodivé motory a magnety

Multiple-tape high temperature superconducting coils for superconducting motors and magnets

Doba trvania:

1. 9. 2025 - 31. 8. 2029

Evidenčné číslo:

APVV-24-0654

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Mgr. Pardo Enric PhD.

PEROVCHIR - Vplyv aplikácie organických molekúl na vlastnosti perovskitovských tenkovrstvových štruktúr

Effect of the application of organic molecules on the properties of perovskite thin-film structures

Doba trvania:

1. 7. 2024 - 31. 12. 2027

Evidenčné číslo:

APVV-23-0238

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Za posledné roky sa nahromadilo dosť experimentálnych dôkazov, že adsorbované organické chirálne molekuly majú vplyv na supravodivé vlastnosti YBa2Cu3O7-x (YBCO) vrstiev. V niektorých prípadoch je možné pozorovať nárast ich kritickej teploty Tc. Na druhej strane sa ukazuje, že v prípade feromagnetických vrstiev (napr. kobaltu) aplikácia chirálnych molekúl môže viesť k zmene magnetizácii bez použitia elektrického prúdu. Dôležitú úlohu tu hrá spin, ktorý uvádza do systému ďalší stupeň voľnosti a dáva tak možnosť zariadeniam napríklad znížiť elektrickú spotrebu alebo navýšiť ich výpočtovú kapacitu. Spintronické zariadenia sa tak stali lákadlom v elektronike, avšak problémy spojené s ovládaním spinu sú obrovskou výzvou. Unikátnym spôsobom určitej manipulácie so spinom je efekt nazývaný chirálne indukovaná spinová selektivita (CISS), ktorý je výsledkom osobitnej štruktúry organických chirálnych molekúl. Projekt sa sústredí na prípravu a charakterizáciu jednoduchých heteroštruktúr a ich interakciu s chirálnymi polymérmi nanesenými na povrch vrstviev. Konkrétne sa jedná o vplyv chirálnej kyseliny mliečnej na perovskitovské tenké vrstvy, kde vybrané perovskity sú vysokoteplotný supravodič YBCO a feromagnet La1 - xSrxMnO3 (LSMO).

GO4HV - Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie

Gallium oxide power transistors for high-voltage operation

Doba trvania:

1. 9. 2025 - 31. 8. 2029

Evidenčné číslo:

APVV-24-0325

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Gucmann Filip PhD.

Anotácia:

V tomto projekte sa zameriame na návrh, výrobu a charakterizáciu výkonových, poľom riadených tranzistorov s izolovanou hradlovou elektródou (MOSFET) na báze oxidu galitého (GaO), vhodných na spínanie vysokých napätí. Za pomoci novozakúpeného komerčného systému Aixtron CCS pre epitaxný rast GaO vrstiev z chemických pár organokovových zlúčenín (MOCVD) vyvinieme vysokokvalitné epitaxné GaO vrstvy na cudzích podložkách (zafír, SiC, AlN/Si). Jedným z hlavných zameraní tohto projektu je zvýšenie kvality heteroepitaxných GaO vrstiev pomocou zníženia počtu rotačných domén v jeho rovine rastu, ktoré sú často prítomné pri GaO raste na cudzích podložkách s hexagonálnou symetriou povrchu. Systematickým prístupom budeme optimalizovať rastové parametre a taktiež využijeme podložky s narušenou povrchovou symetriou pre zabezpečenie plošnej anizotropie epitaxného rastu a podporíme rast len niektorých orientácií GaO kryštalitov. Vďaka tomu očakávame zníženie koncentrácie dislokácií v GaO vrstvách a zvýšenú pohyblivosť nosičov náboja čo v dôsledku povedie k nárastu výstupného prúdu vyrobených MOSFET súčiastok. Pomocou elektrotepelných simulácií za pomoci TCAD softvéru sa zameriame na optimalizáciu návrhu GaO MOSFETov s ohľadom na prierazné napätie >1 kV s využitím rôznych štruktúr pre optimlizáciu rozloženia el. poľa (field plates), pri súčasnej snahe o minimalizáciu odporu súčiastky v zopnutom stave. Plošná geometria MOSFET súčiastok bude taktiež optimalizovaná s ohľadom na zlepšenie ich tepelného menežmentu a súvisiacej spoľahlivosti a životnosti. Za pomoci konvenčných postupov výroby mikroelektronických súčiastok, t.j. fotolitografia, suché leptanie, PVD, ALD a PE-CVD, a s ohľadom na optimalizovaný dizajn pripravíme funkčné GaO MOSFETy. Následne budeme charakterizovať ich elektrické vlastnosti vrátane el. prierazu a spoľahlivosti. Namerané experimentálne údaje budú použité na verifikáciu elektrotepelných súčiastkových TCAD simulácií a dalšie vylepšenie dizajnu GaO MOSFETov.

Výskum a vývoj materiálov a štruktúr na báze nanoštruktúrnych chalkogenidov prechodných kovov pre superkapacitorové aplikácie

Research and development of materials and structures based on nanostructured transition metal chalcogenides for supercapacitor applications

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 31. 12. 2027

Evidenčné číslo:

1/0707/24

Program:

VEGA

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Projekt je zameraný na výskum nanoštrukturovaných chalkogenidov prechodných kovov (TMC) a ich využitie v aplikáciách pre uskladnenie energie. Úlohou je získať nové poznatky pri príprave NiSx, NiSex, MoS2, MoSe2 a ďalších TMC, ich heteroštruktúr a kompozitov s vybranými oxidmi, hydroxidmi a/alebo uhlíkovými materiálmi a pri vývoji nanoštruktúrovaných hierarchických elektród za účelom zlepšenia vodivosti, morfológie a elektrochemických vlastností pre superkapacitorové (SC) aplikácie. V rámci projektu dôjde k prepojeniu expertízy v oblasti rastu, materiálovej a elektrochemickej charakterizácie pracovísk FEI STU a ELU SAV. Získané poznatky sa využijú pri príprave a analýze modelových elektród a asymetrického hybridného SC s cieľom zvýšenia kapacity, energetickej hustoty a analýzy mechanizmov degradácie. Materiály budú testované aj z hľadiska ich perspektívneho využitia pre generáciu vodíka. Úlohou je tiež získať poznatky v oblasti vývoja modelov pre riadenie SC prvkov.

Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie

Research of fabrication technology for low-cost oxide-based semiconductorelectronic devices for IoT and sensor applications

Doba trvania:

1. 1. 2024 - 30. 6. 2026

Evidenčné číslo:

09I05-03-V02-00030

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Anotácia:

Inkjet tlač sol-gel materiálového atramentu a hmlové chemické nanášanie z pár sú nízkonákladové techniky depozície tenkých polovodičových vrstiev na báze oxidov ako aj prípravu elektronických prvkov. Ponúkajú niekoľko výhod oproti štandardným technikám, vrátane jednoduchosti, nízkym výrobným nákladom, prispôsobivosti a schopnosti nanášať vrstvy aj pri nízkych teplotách a bez potreby vákua. Tieto techniky majú potenciál spôsobiť revolúciu vo výrobe oxidových polovodičových prvkov a umožňujú ich uplatnenie v širokej škále aplikácií. Navrhovaný projekt sa zaoberá výskumom týchto pokročilých depozičných techník a končí demonštrátormi konceptu polovodičových súčiastok na báze oxidov. Nízkonákladové techniky nanášania môžu byť optimalizované tak, aby boli energeticky účinnejšie a šetrnejšie k životnému prostrediu, čo prispieva k udržateľnejšej výrobe polovodičov. Keď budú náklady klesať, predtým drahé technológie sa môžu stať prístupnejšími pre marginalizované alebo rozvojové regióny.

Vývoj pokročilých nanoštruktúrovaných materiálov pre elektrokatalýzu s použitím ekologických hlboko eutektických rozpúšťadiel: Trvalo udržateľný prístup k dekarbonizácii

Development of Advanced Nano-structured Materials for Electrocatalysis using an Eco-friendly Deep Eutectic Solvents: A Sustainable Approach to Decarbonisation

Doba trvania:

1. 1. 2025 - 31. 8. 2026

Evidenčné číslo:

09I04-03-V02-00006

Program:

Plán obnovy EÚ

Zodpovedný riešiteľ:

Ing. Šoltýs Ján PhD

Anotácia:

Projekt „ Vývoj pokročilých nanoštruktúrovaných materiálov pre elektrokatalýzu s použitím ekologických hlboko eutektických rozpúšťadiel: Trvalo udržateľný prístup k dekarbonizácii“ rieši naliehavú globálnu výzvu dekarbonizácie vývojom vysoko účinných elektrokatalyzátorov pre výroby „zeleného“ vodíka. Táto inovatívna a komplexná výskumná iniciatíva presahuje súčasný stav v niekoľkých zásadných smeroch. S využitím ekologických hlbokých eutektických rozpúšťadiel a pokročilých nosičov katalyzátorov, ako sú napríklad kovové a uhlíkové peny, sa projekt zameriava na výskum, vývoj, optimalizáciu a charakterizáciu nových elektrokatalyzátorov prispôsobených na efektívny vývoj vodíka v alkalických vodných roztokoch. Tieto katalyzátory, pozostávajúce z nanoštruktúrnych povlakov zliatin na báze Ni, Co, Mo, Fe a kompozitov obsahujúcich S, P, povlakovaných nanočasticami ušľachtilého kovu, sú navrhnuté tak, aby zvýšili elektrokatalytickú aktivitu a stabilitu. Jedinečnosť projektu spočíva v jeho hĺbkovom teoretickom zábere, ktorý nielen skúma elektrolytické nanášanie a bezprúdové nanášanie katalyzátorov, ale poskytuje aj dôkladné pochopenie vzťahu medzi zložením, morfológiou a výkonom katalyzátora. Cieľom projektu je vyvinúť komplexné teórie, ktoré umožnia efektívne dizajnovanie multifunkčných katalyzátorov, ktoré synergicky kombinujú výhody rôznych aktívnych miest, čím posúvajú hranice výskumu katalýzy. Okrem toho projekt vyhodnotí použiteľnosť týchto nových materiálov pre potenciálne priemyselné aplikácie, pričom sa zohľadnia faktory, ako je efektívnosť nákladov, energetická účinnosť a uskutočniteľnosť. Zdôraznením výroby „zeleného“ vodíka pomocou obnoviteľných zdrojov energie projekt podporuje globálny prechod k čistejším energetickým riešeniam, prispieva k zníženiu emisií uhlíka a rieši otázky trvalej udržateľnosti. Takýto pokrokový prístup je založený na medziodborovej spolupráci, medziregionálnych partnerstvách a pripravuje základ pre budúce projekty financované z EÚ, ako napríklad Európskou radou pre výskum (ERC) a Horizont Európa. Navrhovaný projekt predstavuje významný krok vpred v oblasti elektrokatalýzy, ktorý ponúka holistický prístup k riešeniu výziev katalýzy a výroby vodíka. Inovatívne materiály, nové prístupy, udržateľné postupy a teoretické základy, ktoré sa získajú pri realizácii projektu, budú slúžiť ako transformačná sila na ceste k čistejšej a udržateľnejšej energetickej budúcnosti.

Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou

Development of Ga2O3 epitaxy on different substrates and Schottky barrier diodes with enhanced reliability

Doba trvania:

1. 7. 2025 - 30. 6. 2028

Evidenčné číslo:

SK-TW-RD-24-0006

Program:

APVV

Zodpovedný riešiteľ: