Facebook Instagram Twitter RSS Feed PodBean Back to top on side

Témy doktorandského štúdia

Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.

Názov témy
Rast a vlastnosti III-N kvantových štruktúr pre rýchlu elektroniku
Program DŠ
Fyzika kondenzovaných látok a akustika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta matematiky, fyziky a informatiky UK
Stručná anotácia
Predmetom práce bude rast a vyšetrovanie vlastností epitaxných III-N kvantových štruktúr narastených pomocou chemickej depozície z kovovo-organických pár. GaN (ako základný materiál skupiny III-N) je v súčastnosti asi najdynameckejšie sa rozvýjajúcim materiálom v polovodičovom priemysle, ktorého výskum v nedávnej dobe viedol k udeleniu Nobelovej ceny (modré resp. biele LED diódy). V súčastnosti je predmetom intenzívneho záujmu z hladiska aplikácií vo výkonovej a automobilovej elektronike.
Príbuzné III-N zlúčeniny (GaN, AlN, InN) a ich kombinácie umožňujú prípravu širokej škaly hetero-štruktúr vykazujúcich kvantové efekty. Jedná sa predovšetkým o vytvorenie 2-rozmerného plynu nosičov náboja veľkej hustoty a pohyblivosti, čo sú dva klúčové aspekty určujúce vlastnosti budúcich elektronických súčiastok. InN súčastne reprezentuje materál s najvyššou driftovou rýchlosťou elektrónov zo všetkých známych polovodičových materiálov.
Študent sa oboznámi s technikou rastu na strategickom komerčnom zariadení fi. AIXTRON. Predmetom záujmu budú predovšetkým systémy na báze In(Al)N pre ultra-rýchle tranzistory, ako aj príprava kanálovej vrstvy na báze InN. Materiálový výskum bude zahŕňat viaceré techniky na posúdenie štrukturálnych, elektrických a optických vlastností narastených epitaxných vrstiev. Práca bude zavŕšená prípravou a demonštráciou testovacích štruktúr a inovatívných súčiastok.