Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
Názov témy
Technológia a charakterizácia vertikálnych spínacích GaN tranzistorov
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Predpokladané masívne nasadenie spínacích tranzistorov na báze III-N polovodičov v elektrických prevodníkoch sľubuje nevídané celosvetové úspory energie. Tento predpoklad je dôsledok materiálových parametrov III-N polovodičov, vďaka čomu III-N tranzistory vykazujú neobvykle vysokú účinnosť spínania, robustnosť a tepelnú odolnosť. Predmetom dizertačnej práce bude návrh, technologická príprava a analýza normálne zatvorených vertikálnych tranzistorov s dôrazom na optimalizáciu jeho elektrických vlastností, bezpečnosť spínania a maximalizáciu dodávaného výkonu. Zvláštny dôraz bude kladený na analýzu a realizáciu možností zvýšenia hodnoty prahového napätia spínacích tranzistorov, čo je nevyhnutný predpoklad pre komercionalizáciu súčiastok. Práca bude súčasťou predpokladanej spolupráce s Taiwanom.