Facebook Instagram Twitter RSS Feed PodBean Back to top on side

Témy doktorandského štúdia

Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.

Názov témy
Výskum tranzistorov na báze polovodičových 2D materiálov
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Milan Ťapajna, PhD.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Objav grafénu vyvolal rozsiahly výskum ďalších 2-dimenzionálnych (2D) materiálov, ktoré majú schopnosť vytvárať atomárne-tenké vrstvy s mimoriadnymi vlastnosťami. Polovodičový charakter niektorých 2D materiálov umožňuje ich použitie ako kanálového materiálu v poľom riadených tranzistoroch. Očakáva sa, že takéto tranzistory budú vykazovať nielen zlepšenie z hľadiska spínacej rýchlosti a nízkej spotreby energie ale umožnia aj ďalšie zmenšovanie rozmerov, ktoré je nevyhnutné pre výrobu moderných integrovaných obvodov. Okrem toho vykazujú 2D materiály ďalšie zaujímavé vlastnosti vhodné pre konštrukciu optoelektronických a senzorických prvkov ako aj zariadení na úschovu energie.
Jednou z najzaujímavejších skupín 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD) a chalkogenidy post-post-prechodných kovov (PTMC), ktoré vykazujú anizotropné elektrické a optické vlastnosti závislé navyše od počtu atomárnych vrstiev. Cieľom dizertačnej práce bude výskum poľom riadených tranzistorov s izolovaným hradlom (MOSFET) a ultra-tenkou kanálovou vrstvou na báze vybraných 2D materiálov a podrobné študovanie ich transportných vlastností. Veľkoplošné niekoľkovrstvové 2D materiály (PtSe2, GaSe,...) budú pripravené sulfurizáciou a selenizáciou. Budeme vyvíjať procesnú technológiu MOSFET súčiastok využívajúcich architektúru hornej aj spodnej hradlovej elektródy. Okrem elektrických vlastností budeme skúmať aj optické vlastnosti pripravených 2D materiálov.