Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
Názov témy
Výskum Ga2O3 tranzistorov pre aplikácie v kV oblasti
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Rok prijímania
2024
Meno školiteľa/-ky
Ing. Milan Ťapajna, PhD.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Zatiaľ čo segmentu polovodičových výkonových súčiastok do napätí 1 kV dominujú súčiastky na báze Si, pre napätia do oblasti jednotiek kV sa na trhu presadzujú výkonové súčiastky na báze SiC a GaN. Súčiastky pracujúce s napätiami nad 10 kV prakticky neexistujú. Oxid galitý (Ga2O3) je nový ultra-širokopásmový polovodičový materiál, ktorý má vďaka svojej vysokej elektrickej pevnosti technologický potenciál pre vývoj nových súčiastok v tejto oblasti. Ich využitie môže zahŕňať bezemisnú dopravu (elektromobilita, elektrická trakcia) či transformáciu vysokých jednosmerných napätí v distribučných sieťach. Cieľom práce bude návrh a príprava výkonových súčiastok (diód, tranzistorov) na báze Ga2O3 vrstiev pripravených na Elektrotechnickom ústave SAV, v.v.i. Práca bude zameraná na návrh a simuláciu súčiastok pre oblasť kV s využitím komplexných softvérových nástrojov ako aj prípravu Schottkyho diód a tranzistorov typu MOSFET s využitím najmodernejších polovodičových technológií dostupných na ElÚ SAV. Analyzovaný bude aj mechanizmus elektrického transportu a prierazu pripravených súčiastok. Práca bude realizovaná v rámci spoločného projektu s taiwanským partnerom ITRI (Industrial Technology Research Institute).