Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
Názov témy
Štúdium transportných vlastností Ga2O3 tranzistorov pre aplikácie v kV oblasti
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Milan Ťapajna, PhD.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Zatiaľ čo segmentu polovodičových výkonových súčiastok do napätí 1 kV dominujú súčiastky na báze Si, pre napätia do oblasti jednotiek kV sa na trhu presadzujú výkonové súčiastky na báze SiC a GaN. Súčiastky pracujúce s napätiami nad 10 kV prakticky neexistujú. Oxid galitý (Ga2O3) je nový ultra-širokopásmový polovodičový materiál, ktorý má technologický potenciál pre vývoj nových súčiastok v tejto oblasti. Ich využitie môže zahŕňať elektrickú dopravu (elektromobilita, elektrická trakcia) či transformáciu vysokých jednosmerných napätí v distribučných sieťach. Aktuálne vo svete prebieha intenzívny výskum v oblasti epitaxného rastu vrstiev a vývoja Ga2O3 elektronických výkonových súčiastok. Cieľom práce bude príprava a detailná charakterizácia tranzistorov na báze Ga2O3 vrstiev pripravených metódami chemickej depozície z pár na Elektrotechnickom ústave SAV, v.v.i. Práca bude zameraná na študovanie transportných a štruktúrnych vlastností pripravených epitaxných vrstiev Ga2O3 s cieľom dosiahnutia vysokej pohyblivosti nosičov náboja. Budú študované vrstvy s rôznou kryštalickou štruktúrou a rôznymi prímesami. Na základe získaných poznatkov bude realizovaná príprava Ga2O3 tranzistorov a ich detailná elektrická charakterizácia. Detailne analyzovaný bude aj mechanizmus elektrického prierazu pripravených súčiastok.