Facebook Instagram Twitter RSS Feed Back to top

Témy doktorandského štúdia

Elektrotechnický ústav SAV

Názov témy
Vývoj a charakterizácia pn heteropriechodov na báze ultra-širokopásmových polovodičov
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Milan Ťapajna, PhD.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Zatiaľ čo segmentu polovodičových výkonových súčiastok do napätí 1 kV dominujú súčiastky na báze Si, pre napätia do oblasti jednotiek kV sa na trhu presadzujú výkonové súčiastky na báze SiC a GaN. Súčiastky pracujúce s napätiami nad 10 kV prakticky neexistujú. Oxid gália (Ga2O3) je nový širokopásmový polovodičový materiál, ktorý má technologický potenciál pre vývoj nových súčiastok v tejto oblasti. Ich využitie môže zahŕňať elektrické dopravné prostriedky či transformáciu vysokých jednosmerných napätí v distribučných sieťach. Vývoj Ga2O3 spínacích súčiastok je však obmedzený neefektívnym p-dopovaním potrebným pre dizajn výkonových súčiastok. Cieľom práce bude výskum a vývoj plne oxidových p-n heteropriechodov na báze Ga2O3 a oxidov kovov s prirodzeným p-typom vodivosti ako NiO a Cu2O pre realizáciu pn diód. Bude realizovaná optimalizácia technologických postupov rastu daných materiálov, vývoj procesnej technológie pn hetropriechodov a charakterizácie ich elektrických a elektro-tepelných vlastností. Na tento účel budú využité moderné technologické postupy a pokročilé charakterizačné metódy dostupné na ElÚ SAV.