Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i.
Názov témy
Vplyv substrátu a bufferovej vrstvy na mikroštruktúru a elektrické vlastnosti epitaxných vrstiev Ga2O3 a príbuzných zlúčenín deponovaných metódou chemickej depozície z pár organokovov (MOCVD).
Program DŠ
Fyzikálne inžinierstvo
Rok prijímania
2024
Meno školiteľa/-ky
Ing. Alica Rosová, CSc.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
V posledných rokoch zaujal pozornosť materiálového výskumu širokopásmový polovodič Ga2O3 ako sľubný materiál pre použitie v elektronických súčiastkach pre spínanie vysokých výkonov a napätí, krátkovlnných svetloemitujúcich diódach a laseroch pre ultrafialové svetlo. Pripraviť kvalitnú epitaxnú vrstvu na technologicky vhodných substrátoch však stále zostáva výskumnou výzvou. Táto práca bude zameraná na štúdium mikroštruktúry epitaxných vrstiev Ga2O3 a príbuzných materiálov pripravených metódou nanášania z chemických pár metaloganických prekurzorov (MOCVD) pripravených na Elektrotechnickom ústave SAV. Zmena mikroštrukúry a teda aj vlastností vrstiev bude vnášaná zmenou použitého substrátu a depozíciou vhodných bufferových vrstiev s ohľadom na zmenu napätí vnášaných kontakom substrát – vrstva pri epitaxnom raste. Hľavným nástrojom mikroštrukturálnej analýzy bude transmisná elektrónová mikroskopia (TEM), rastrovacia eletrónová mikroskopia (SEM) a prvková analýza typu energodisperznej a vlnovodisperznej spektroskopie (EDS a WDS). Skúmaný bude aj vplyv zvolených rastových parametrov na elektrické vlastnosti pripravených Ga2O3 vrstiev, napr. dosiahnutej koncentrácie nosičov náboja a ich pohyblivosti. Práca bude realizovaná v rámci spoločného projektu s taiwanským partnerom ITRI (Industrial Technology Research Institute).