Facebook Instagram Twitter RSS Feed Back to top

Zoznam národných projektov SAV

Lock Databáza národných projektov
Elektrotechnický ústav SAV
Adaptácia algoritmu metadynamiky na problémy mikromagnetizmu
Application of the metadynamics algorithm to micromagnetism
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Tóbik Jaroslav PhD.
Anotácia:Objektom štúdia mikromagnetizmu sú javy, kde je možné použiť klasický model magnetizmu. Sú to javy v mangnetických súčiastkach ako napríklad bit-patterned medium pre hard-disky, magnetické pamäte, magnetické frekvenčné detektory, či bio a medicínske aplikácie. Parametricky sa aktívne časti súčiastok pohybujú na úrovni desiatok nanometrov až po mikrometre. Pracovná teplota vo väčšine prípadov je oblasť izbovej teploty. Používaným modelom opisu problémov v tejto oblasti je klasická fyzika. Problémom výpočtu stability magnetického stavu v aplikáciách je časová škála, na ktorej sa zmena typicky udeje. Magnetický stav v pmätiach je stabilný roky. Existujú rôzne efektívne algoritmy na hľadanie najnižších bariér prechodu medzi metastabilnými stavmi. Rozhodli sme sa implementovať algoritmus metadynamiky do mikromagnetických solverov na to, aby sme mohli efektívne hľadať magnetické stavy v súčiastkach a skúmať ich stabilitu.
Doba trvania: 1.1.2018 - 31.12.2021
CEMEA - Vybudovanie centra pre využitie pokročilých materiálov SAV
Building a centre for advanced material application SAS
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a inovácie
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan PhD.
Anotácia:Predkladaný projekt je komplementárny k projektu v rámci programu H2020 WIDESPREAD-1-2014-Teaming - Building-up Centre of Excellence for advancedmaterials application CEMEA, No. 664337, ktorý získal Seal of excellence a odporúčanie pre národné financovanie. Miesto realizácie projektu je Bratislavský kraj.Cieľom projektu je etablovať v SAV organizáciu Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV, centrum špičkového nezávislého výskumu so zameraním namodifikáciu povrchov a rozhraní pre nové funkcionality štruktúr a prvkov v oblasti pokročilých (nano)materiálov, udržateľnej energie a biomedicíny. Ide o výskumnových nízkorozmerných (LD) nanomateriálov, nových kompozitov a vrstvových štruktúr so zlepšenými alebo novými vlastnosťami zaujímavými pre aplikácie.Výskumná téma pokrýva 6 oblastí výskumu - podaktivít projektu. Projekt podporuje okrem žiadateľa SAV, 7 výskumných inštitúcií (ElU SAV, FU SAV, UPo SAV,UMMS SAV, UACH SAV, BMC SAV a CEMEA SAV).
Doba trvania: 1.7.2019 - 30.6.2023
Časovo-rozlíšené štúdium rastu hybridných van der Waalsových heteroštruktúr
Real-time grow studies of hybrid van der Waals heterostructures
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania: 1.8.2018 - 30.6.2022
Dlhodosahový jav blízkosti v supravodič/feromagnet heteroštruktúrach
Long-range proximity effect in superconductor / ferromagnet heterostructures
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Chromik Štefan DrSc.
Doba trvania: 1.7.2020 - 31.12.2023
Formovanie farebných centier v diamante a ich vlastností smerom ku kvantovej detekcii
Evolution of colour centres in diamond and their properties towards quantum detection
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Varga Marian PhD.
Doba trvania: 1.7.2021 - 31.12.2024
Heteroštruktúry TMD/diamant: Príprava, charakterizácia a aplikácia
TMD/diamond heterostructures: Fabrication, characterization and applications
Program: MoRePro
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Varga Marian PhD.
Doba trvania: 1.8.2020 - 31.7.2024
Metalické 2D dichalkogenidy prechodných kovov: príprava, štúdium vlastností a korelované stavy
Fabrication, physics and correlated states in metallic 2D transition metal dichalcogenides
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Dr. rer. nat. Hulman Martin
Anotácia:Objav grafénu v roku 2004 priniesol obrovský záujem vedcov pôsobiacich vo fyzike kondenzovaných látok o výskum 2D materiálov. Aj keď tieto materiály majú dlhú históriu, ktorá sa začína už v dvadsiatych rokoch 20. storočia, v posledných rokoch došlo k zintenzívneniu výskumu týchto látok. Boli úspešne pripravené ultratenké vrstvy mnohých 2D materiálov so zaujímavými elektronickými vlastnosťami medzi ktoré určite patria silno korelované elektronické stavy ako sú vlny nábojovej hustoty a supravodivosť. Jednou z najviac študovaných skupín 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). TMD sa skladajú z hexagonálnych vrstiev, v ktorých sú atómy prechodných kovov vložené medzi dve vrstvy atómov chalkogénu s celkovou stochiometriou MX2. V tomto projekte sa sústredíme na tie materiály z TMD skupiny, ktoré vykazujú silne korelované elektronické stavy, a to konkrétne: NbSe2, TiSe2, TaS2, TaSe2 a PtSe2. Cieľom projektu je pripraviť ultratenké vrstvy (≤ 10 nm) a kryštalické vzorky a dôkladne ich charakterizovať z hľadiska ich hrúbky, kryštalinity, homogenity, optických a elektronických vlastností. Osobitná pozornosť sa bude venovať stavom vĺn nábojovej hustoty a supravodivosti v týchto materiáloch, a tomu, ako vlastnosti týchto korelovaných stavov závisia od hrúbky vzorky, dopovania, parametrov rastu samotnej vrstvy, a aj ako tieto korelované stavy reagujú na vonkajšie elektrické a magnetické polia. Vedecký program projektu tiež obsahuje prípravu heteroštruktúr vytvorených z týchto materiálov, ako aj na hybridné systémy kombinujúce TMD s inými materiálmi. Výskum zahŕňa aj podrobnú charakterizáciu heteroštruktúr za účelom optimalizácie parametrov rastu. The discovery of graphene in 2004 has brought a massive interest of scientists active in condensed-matter physics on research of 2D materials. Even though these materials have a long history starting already in the twenties of the 20th century, the past years have seen an intensive renascence of interest in 2D materials. Ultra-thin samples of many 2D materials have been successfully prepared with electronic properties that may exhibit correlated electronic phenomena such as charge density waves and superconductivity. One of the well-studied families of the 2D materials are transition metal dichalcogenides (TMDs). TMDs consist of hexagonal layers of metal atoms sandwiched between two layers of chalcogen atoms with a MX2 stoichiometry. In this project, we focus on those materials from the TMD family that exhibit strongly correlated electronic states: NbSe2, TiSe2, TaS2, TaSe2 and PtSe2. The goal of the project is to prepare ultrathin (≤ 10 nm) layers and bulk samples and characterise them thoroughly in terms of the thickness, crystallinity, homogeneity, optical and electronic properties. A special attention will be paid to charge density wave states and superconductivity in these materials and how they evolve with the sample thickness, doping, external electric and magnetic fields and details of the growth process.
Doba trvania: 1.7.2020 - 30.6.2023
Perovskitovské tenké vrstvy a štruktúry vhodné pre modern elektroniku a senzoriku
Perovskite thin films and structures for modern electronics and sensorics
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Španková Marianna PhD
Anotácia:Predmetom projektu je príprava a štúdium feromagnetických, supravodivých a dielektrických perovskitovských tenkých vrstiev (do 100 nm) a štruktúr mikro a nanorozmerov. Supravodivé mikropásky YBa2Cu3Ox budú ožarované elektrónmi (30keV) s cieľom vytvoriť kanály ľahkého pohybu vírov. Ďalej sa zameriame na detailné štúdium rozhrania podložka Si/dielektrická vrstva s využitím netradičných materiálov (SrO,TiN) s cieľom umožniť epitaxný rast oddeľovacích vrstiev nevyhnutných pre realizáciu bolometrov na báze La0.67Sr0.33MnO3 vrstiev pracujúcich pri izbovej teplote (nechladené) v oblasti THz frekvencií. Pri vývoji nových typov bolometrov posúdime okrem dosiaľ študovaného materiálu Bi4Ti3O12 viacero typov iných oddeľovacích vrstiev. Budeme pokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S s cieľom objasniť vzájomnú interakciu tesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt).Z aplikačného hľadiska použitie pí-typu Josephsonovho spoja môže riešiť problematiku– kvantového bitu (qubit).
Doba trvania: 1.1.2018 - 31.12.2021
Pokročilé III-N súčiastky pre prenos informácie a energie
Advanced III-N devices for energy and information transfer
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.
Anotácia:Nitrid gália (GaN) a jemu podobné polovodičové zlúčeniny bežne označované ako III-N majú oproti dnes už klasickým polovodičom výrazne flexibilnejšiu energetickú medzeru, vyššiu intenzitu prierazného elektrického poľa, veľkú mriežkovú spontánnu polarizáciu, vysokú tepelnú a radiačnú odolnosť, ale aj vysokú pohyblivosť elektrónov. Preto je snaha postupne vyvinúť III-N polovodičové prvky, predovšetkým tranzistory typu HFET ktoré majú potenciál postupne nahradiť prvky na báze Si, Si/SiGe, GaAs a InP pre mikrovlnné a výkonové aplikácie, spínače, spínacie zosilňovače, logické obvody ako aj obvody zmiešaných signálov. Následne, v tomto zmysle plánujeme vyvinúť a študovať HFET-y s InN kanálom pre ultra-rýchly prenos informácie, pokročilé GaN spínače pre konverziu energie, technológiu GaN obvodov zmiešaných signálov a GaN UV senzory pre kozmické aplikácie.
Doba trvania: 1.1.2018 - 31.12.2021
Pokrokový MgB2 supravodič bez difúznej bariéry
Advanced MgB2 superconductor without diffusion barrier
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kováč Pavol DrSc.
Anotácia:Podstatou projektu je pripraviť a optimalizovať spôsob prípravy supravodivého kompozitného drôtu (vlákna) metódou infiltrácie horčíka do bóru. Hlavný dôraz bude kladený na jednoduchosť prípravy (bez difúznej bariéry), ďalej dostupnosť a vhodnosť použitých obalových materiálov a ich elektromechanických vlastností. Vlastnosti supravodivého jadra MgB2 bude možné ovplyvniť technologickou prípravou, žíhacími podmienkami, ako aj možným dopovaním. Použiť možno napríklad uhlík a jeho zlúčeniny, alebo iný chemický prvok požadovaných vlastností a rozmerov, ktoré výrazne nepresahujú koherenčnú dĺžku a môžu tak pôsobiť ako centrum záchytu magnetického poľa. Výberom vhodných materiálov a technologických postupov sa bude sledovať vplyv na mikroštruktúru, mechanické vlastnosti a supravodivé vlastnosti: kritická prúdová hustota pri teplotách v rozsahu 4,2 – 20 K, kritická teplota, konektivita, straty v striedavom magnetickom poli. Úlohou projektu bude tiež skúmanie možností vytvárania supravodivých spojov
Doba trvania: 1.1.2020 - 31.12.2021
Príprava, charakterizácia a dopovanie ultratenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov
Fabrication, characterization, and doping of ultra-thin layers of transition metal dichalcogenides
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Sojková Michaela PhD.
Anotácia:Vďaka neobvyklým fyzikálnym vlastnostiam sú dvojrozmerné materiály intenzívne študované už niekoľko rokov. Zaujímavou skupinou z tejto triedy materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Majú hexagonálnu štruktúru, v ktorej sú jednotlivé vrstvy navzájom viazané len slabými Van der Waalsovými väzbami. To spôsobuje výrazne anizotrópne vlastnosti týchto materiálov a má podstatný vplyv na ich elektronickú štruktúru. Preto niektoré z nich vykazujú fyzikálne zaujímavé korelované stavy (supravodivosť, vlny nábojovej hustoty). Primárnym cieľom tohto projektu je príprava a štúdium vlastností tenkých vrstiev dvoch rôznych TMD materiálov – MoS2 a PtSe2, a sledovanie vplyvu dopovania katiónmi lítia a sodíka na elektrické a štruktúrne vlastnosti týchto vrstiev. Sekundárnym cieľom projektu je optimalizácia rastu a dopovania tak, aby zlepšené parametre tenkých vrstiev, ako sú napr. elektrická vodivosť a mobilita nosičov náboja, umožnili prípravu funkčných elektronických prvkov – tranzistorov.
Doba trvania: 1.1.2021 - 31.12.2024
Radiačne odolnejší senzor pre RTG zobrazovanie vyššej kvality
Radiation harder sensor for X-ray imaging of higher quality
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Zaťko Bohumír PhD
Doba trvania: 1.7.2019 - 30.6.2023
Rast a charakterizácia materiálu zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov: diselenid titánu
Growth and characterization of a material from the group of transition metal dichalcogenides: titanium diselenide
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Precner Marián PhD.
Doba trvania: 1.1.2019 - 31.12.2021
Robustné spinové vlny pre budúce magnonické aplikácie
Robust spin waves for future magnonic applications
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Dr. Mruczkiewicz Michal
Anotácia:V tomto projekte sa zameriame na teoretický a experimentálny výskum transportu spinových vĺn v nanoštruktúrach. Vďaka svojim výnimočným vlastnostiam, ako sú nízke energetické straty, sub-mikrometrová vlnová dĺžka a rekonfigurovatelnosť, je spinová vlna potenciálnym kandidátom ako nosič informácie v ultrarýchlych a energeticky efektívnych logických hradlách a pamätiach. Cieľom našeho výskumu budú špecifické systémy, použitelné ako nosiče robustných, jednosmerných a reprogramovateľných spinových vĺn. Výsledky našeho výskumu budú dôležité v oblasti magnetizmu a magnoniky.
Doba trvania: 1.7.2020 - 30.6.2023
Röntgenová optika so zakrivenými povrchmi
X-ray optics with curved surfaces
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Zápražný Zdenko PhD.
Doba trvania: 1.7.2021 - 30.6.2025
Supravodivé vinutia z homogénnych MgB2 drôtov s trubičkovými vláknami
Superconducting coils made of uniform MgB2 wires with tubular filaments
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kováč Pavol DrSc.
Anotácia:Cieľom tohto projektu je vyvinúť proces infiltrácie/difúzie (IMD) pre dlhé a homogénne supravodivé drôty s trubicovými MgB2 vláknami majúcimi vysoké inžinierske prúdové hustoty merané v cievkach chladených tuhým dusíkom a pracujúcich v tzv. perzistentnom móde. Hlavným cieľom je zvýšiť tri krát inžiniersku prúdovú hustotu v dlhých IMD MgB2 drôtoch v porovnaní s komerčne vyrábanými metódou prášok-v-trubke (PIT) a to zvlášť v magnetických polí 1-5T a teplotách okolo 20K.
Doba trvania: 1.7.2019 - 30.11.2021
Štúdium magnetických efektov na nanoúrovni
Study of magnetic effects at nanoscale
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Šoltýs Ján PhD
Doba trvania: 1.1.2019 - 31.12.2021
Tenkovrstvové štruktúry pre využitie v energetike
Thin film structures for energy applications
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol DrSc.
Anotácia:Projekt je zameraný na výskum prípravy tenkovrstvových štruktúr pre využitie v energetike. V časti projektu sa budeme venovať príprave a výskumu vlastností transparentných vodivých elektród pre organické slnečné články a organické svietiace diódy na báze tenkých vrstiev oxidov ako aj enkapsulácii týchto súčiastok. Ďalej sa zameriame na prípravu a výskumu vlastností štruktúr kov-izolátor-polovodič vhodných ako fotoanódy pre rozklad vody vplyvom slnečného žiarenia. Ďalšia časť projektu bude venovaná výskumu prípravy tenkovrstvových elektród pre uskladnenie energie v batériách a príprave štruktúr pre superkapacitory. Tenké vrstvy v týchto súčiastkach budú pripravené technológiou nanášania po atomárnych vrstvách a chemickým nanášaním z pár organokovových zlúčenín s využitím kvapalného zdroja. Pripravené štruktúry budú základom pre nové moderné súčiastky a zariadenia s využitím v energetike.
Doba trvania: 1.1.2018 - 31.12.2021
Tribologické vlastnosti 2D materiálov a príbuzných nanokompozitov
Tribological properties of 2D materials and related nanocomposites
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania: 1.8.2018 - 30.6.2022
Vertikálny GaN MOSFET pre výkonové spínacie aplikácie
Vertical GaN MOSFET for power switching applications
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.
Anotácia:Jedným z najnaliehavejších problémov súčasnej spoločnosti je dostupnosť zdrojov energie, najmä s ohľadom na neustále sa zvyšujúce nároky na jej spotrebu. Jednou z ďalších možností úspory energie je zníženie strát vznikajúcich pri prevode do formy vhodnej pre daný spotrebič. Z hľadiska úspory elektrickej energie predstavuje zvýšenie efektivity prevodu elektrickej energie veľký potenciál. Podľa dostupných analýz, viac ako 10% elektrickej energie sa nenávratne stráca v podobe prevodových strát. Aj čiastkové využitie takejto rezervy môže mať veľký hospodársky význam. Prevodové straty vznikajú najmä pri úprave úrovní elektrického napätia vhodných pre konkrétny spotrebič alebo zariadenie. Ťažisko riešenia problematiky efektívnejšieho prevodu elektrickej energie teda spočíva v oblasti výkonovej elektroniky zahŕňajúcej AC/DC a DC/DC prevodníky pre spotrebnú a priemyselnú elektroniku. Razantnejšie zvýšenie efektivity prevodu poskytujú nové výkonové tranzistory na báze GaN-u, ktoré sú schopné pracovať pri podstatne vyšších frekvenciách s takmer trojnásobne nižšími spínacími stratami. Hlavný cieľ predkladaného projektu je výskum a vývoj vertikálneho GaN MOSFET tranzistora a získanie poznatkov o elektro-fyzikálnych vlastnostiach takýchto súčiastok. Jedná sa o „proof-of-concept“ vývoj; z hľadiska kvantitatívnych parametrov bude naším cieľom demonštrovať RON<2 mOhm/cm2 a VBD>600 V. Originálnou črtou navrhovaného konceptu je využitie semi-izolačnej (SI) kanálovej GaN vrstvy (namiesto p-oblastí), blokujúcou tok prúdu pri nulovom napätí na hradle. Na otvorenie tranzistora bude potrebné kladné hradlové napätie, ktoré vytvorí podmienky na injekciu voľných elektrónov z emitora pozdĺž okrajov SI-GaN oblasti. Koncept teda možno označiť za unipolárny tranzistor pracujúci v obohacovacom móde, pričom v driftovej oblasti sa zachováva možnosť využitia nedotovanej GaN vrstvy s extrémne nízkou koncentráciou dislokácií narastenou na priamo na GaN substráte.
Doba trvania: 1.7.2019 - 30.6.2022
Výskum radiačne odolných polovodičových detektorov pre jadrovú energetiku
Research of radiation resistant semiconductor detector for nuclear energies
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Zaťko Bohumír PhD
Doba trvania: 1.7.2019 - 31.12.2022
Vysokoodolné polovodičové senzory ionizujúceho žiarenia pre využitie v radiačnom prostredí
Radiation resistant semiconductor sensors for utilization in harsh environment
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Zaťko Bohumír PhD
Anotácia:Detektory ionizujúceho žiarenia sú dôležitou zložkou mnohých oblastí vedy a techniky. Predmetom predkladaného projektu je výskum rôznych polovodičových detekčných štruktúr na báze Si, GaAs,CdTe a 4H-SiC ako detektorov ionizujúceho žiarenia, kde sa najmä širokopásmový 4H-SiC polovodič ukazuje ako vysokoodolný materiál vhodný pre dlhodobú prácu v sťaženom radiačnom prostredí. To záhŕňa optimalizáciu pripravených senzorov z hľadiska ich použitia, teda aký typ žiarenia a tok je potrebné detegovať. Taktiež pasivácia a púzdrenie je veľmi dôležité pre zabezpečenie dlhej životnosti pripravených senzorov. Budú robené aj simulácie detekčných vlastností štruktúr s cieľom optimalizácie hrúbky a rozmerov kontaktov a pasivácie. Detekčné struktúry budú charakterizované elektrickými (I-V, C-V merania) a spektrometrickými meraniami pomocou štandardných rádionuklidových zdrojov. Taktiež bude skúmaná odolnosť ich činnosti v sťaženom prostredí (zvýšená teplota, ionizačné prostredie).
Doba trvania: 1.1.2020 - 31.12.2023
Vysokoteplotná supravodivá cievka pre motory elektrických a hybridných lietadiel
High temperature superconducting coils in motors for electric and hybrid aircrafts
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Pardo Enric PhD.
Anotácia:Elektromotory s plne supravodivými vinutiami sa javia ako mimoriadne perspektívne z hľadiska požadovanej hustoty výkonu pre komerčné použitie v hybridných a elektrických lietadlách. Tie sú schopné dosiahnuť zníženie emisií CO2 v atmosfére o 75 % a emisií NOx o 90 %, čo je v súlade s cieľmi ACARE Flightpath 2050 Európskej Únie. Supravodivé elektromotory však môžu prispieť tiež k ekologickejšej a čistejšej námornej, či riečnej lodnej doprave. Aj napriek rozsiahlemu výskumu ostávajú do dnešných dní viaceré elektro-magnetické a elektro-tepelné vlastnosti supravodivých cievok v podmienkach využitia ako vinutí motorov do značnej miery neznáme, jednak z dôvodu chýbajúcich meraní v rozsahu požadovaných teplôt (medzi 20 - 40 K), ako aj metód počítačových simulácií a výpočtov supravodivých motorov. Cieľom tohto projektu je získanie nových poznatkov z tejto oblasti a vývoj metód numerického modelovania umožňujúcich návrh budúcich supravodivých motorov. Plánovaná práca má ambíciu priniesť nové poznatky v nasledujúcich oblastiach, z ktorých každá predstavuje samostatný cieľ: • Merania striedavých strát cievok (približne 100 závitov) v podmienkach vlastného poľa pri teplotách 40 K alebo nižších, na izolovaných ako aj na neizolovaných cievkach z REBCO supravodivých vodičov. Výsledky týchto meraní budú významným príspevkom sami osebe a budú tiež využité na overenie numerických modelov. • Tepelná stabilita a ochrana pri náhlom prechode týchto typov cievok pri nízkych teplotách (40 K a nižších). Cieľom týchto meraní bude overenie elektro-tepelného modelu. • Vývoj vlastnej numerickej metódy pre elektro-magnetické a elektro-tepelné modelovanie plne supravodivých elektrických motorov, dvojrozmernej (2D) ako aj trojrozmernej (3D). Výpočtový program bude plne paralelizovaný pre počítačové klastre. Výpočty budú overované porovnaním s experimentálnymi výsledkami. • Modelovanie striedavých strát a demagnetizácie v skrížených poliach v izolovaných a neizolovaných cievkach
Doba trvania: 1.7.2020 - 30.6.2023
Vysokovýkonná zakrivená röntgenová optika pripravená pokročilou technológiou nanoobrábania
High-performance curved X-ray optics prepared by advanced nanomachining technology
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Zápražný Zdenko PhD.
Doba trvania: 1.1.2021 - 31.12.2023
Vývoj UV senzora na báze GaN pre vesmírne aplikácie
GaN-based heterostructure as a promising UV sensor for space application
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Stoklas Roman PhD.
Doba trvania: 1.1.2019 - 31.12.2022

Celkový počet projektov: 25