Facebook Instagram Twitter RSS Feed Back to top

Témy doktorandského štúdia

Elektrotechnický ústav SAV

Názov témy
Mikrovlnné InAl(Ga)N/GaN tranzistory pre novú generáciu elektroniky zmiešaných signálov
Program DŠ
Elektronika a fotonika
Meno školiteľa/-ky
Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Kontakt:
Prijímajúca škola
Fakulta elektrotechniky a informatiky STU
Stručná anotácia
Integrované obvody zmiešaných signálov – spracuvávajúce analógové aj digitálne signály na jednom čipe – majú široké uplatnenie v modernej elektronike (telekomunikácie, spotrebná elektronika). Vďaka svojim výnimočným vlastnostiam umožňuje technológia heteroštruktúrnych tranzistorov na báze GaN realizáciu mikrovlnných ako aj logických súčiastok pracujúcich pri podstatne vyšších frekvenciách ako v prípade obvodov na báze Si. Integrácia týchto systémov však vyžaduje ďalší vývoj jednotlivých modulov. Cieľom dizertačnej práce bude výskum a vývoj procesnej technológie mikrovlnných tranzistorov využívajúcich InAl(Ga)N/GaN heteroštruktúru, umožňujúcu drastické škálovanie hrúbky InAl(Ga)N bariérovej vrstvy. Sub-mikrometrové hradlá tranzistora budú pripravované pomocou priamej elektrónovej litografie. Pomocou jednosmerných a impulzných meraní budú analyzované parazitné efekty a nestability za účelom ich potlačenia. V spolupráci s externým pracoviskom zabezpečujúcim mikrovlnné merania bude študovaný transport elektrónov pod hradlom s cieľom potlačenia nežiadúcich oneskorení a zvyšovania medznej frekvencie a maximálnej frekvencie oscilácií (ft a fmax) vyvýjaných tranzistorov.